[发明专利]各向异性的外延生长在审
| 申请号： | 202080045902.0 | 申请日： | 2020-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN114072544A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 秦嘉政;阿布舍克·杜贝;黄奕樵;索拉布·乔普拉 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B29/06;C30B29/08;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 各向异性 外延 生长 | ||
1.一种用于半导体处理的方法，所述方法包含以下步骤：
在基板上形成硅锗表面；和
在所述硅锗表面上外延地生长外延硅锗，所述外延硅锗的第一生长率沿着垂直于所述硅锗表面的第一方向，所述外延硅锗的第二生长率沿着垂直于所述第一方向的第二方向，所述第一生长率大于所述第二生长率至少5倍。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述硅锗表面是(100)表面。
3.如权利要求1所述的方法，其中外延地生长所述外延硅锗的步骤包含使用氯化锗烷气体。
4.如权利要求3所述的方法，其中所述氯化锗烷气体包括四氯化锗(GeCl4)。
5.如权利要求1所述的方法，其中外延地生长所述外延硅锗的步骤包含以硼原位掺杂所述外延硅锗。
6.如权利要求1所述的方法，其中形成所述硅锗表面的步骤包含在所述基板上外延地生长硅锗模板层，所述硅锗模板层具有所述硅锗表面。
7.如权利要求6所述的方法，其中外延地生长所述硅锗模板层的步骤是以至少590℃的基板温度来执行。
8.如权利要求1所述的方法，其中形成所述硅锗表面的步骤包含在所述基板上蚀刻硅锗层以形成凹部，所述凹部的表面是所述硅锗表面。
9.如权利要求1所述的方法，其中所述外延硅锗形成所述基板上的鳍片上的源极/漏极区域的至少一部分。
10.一种用于半导体处理的方法，所述方法包含以下步骤：
在基板上形成(100)硅锗表面；和
在所述(100)硅锗表面上外延地生长外延硅锗，外延地生长所述外延硅锗的步骤包含使用锗源前驱物和硅源前驱物，所述锗源前驱物包括氯化锗烷气体。
11.如权利要求10所述的方法，其中所述氯化锗烷气体是四氯化锗(GeCl4)。
12.如权利要求10所述的方法，其中所述硅源前驱物包括硅烷(SiH4)。
13.如权利要求10所述的方法，其中外延地生长所述外延硅锗的步骤沿着100方向生长所述外延硅锗而沿着010方向无实质生长。
14.如权利要求10所述的方法，进一步包含以下步骤：在硅锗层中形成凹部，所述(100)硅锗表面是所述凹部的底表面。
15.如权利要求10所述的方法，进一步包含以下步骤：在所述基板上外延地生长硅锗模板层，外延地生长所述硅锗模板层的步骤被以至少590℃的基板温度来执行，所述硅锗模板层具有所述(100)硅锗表面。
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