[发明专利]具有光阻挡件的垂直腔表面发射激光器(VCSEL)在审
申请号: | 202080051049.3 | 申请日: | 2020-10-01 |
公开(公告)号: | CN114175429A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | K·C·哈齐利亚斯;C·Y·T·廖;R·沙马 | 申请(专利权)人: | 脸谱科技有限责任公司 |
主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183;H01S5/028;H01S5/026;G02B27/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 张维 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有光 阻挡 垂直 表面 发射 激光器 vcsel | ||
1.一种光源结构,包括:
垂直腔表面发射激光器VCSEL设备,其具有顶表面和至少一个侧表面,所述至少一个侧表面与所述顶表面基本垂直并且邻接所述顶表面,所述VCSEL设备是可配置的以通过所述顶表面来输出定向发射的光;以及
光阻挡件,围绕所述VCSEL设备的至少顶部部分,并且与所述至少一个侧表面分离,所述光阻挡件被配置为通过所述至少一个侧表面接收来自所述VCSEL设备的自发发射。
2.根据权利要求1所述的光源结构,所述光源结构具有范围从100微米至200微米的至少一个维度。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的光源结构,所述光阻挡件的厚度的范围从两微米至十微米。
4.根据权利要求1、权利要求2或权利要求3所述的光源结构,其中所述VCSEL设备的所述顶部部分和所述光阻挡件被设置在衬底上,并且距所述衬底的表面具有大约相同的高度。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的光源结构,其中所述光阻挡件被形成在所述VCSEL设备的所述顶部部分周围的台面结构上,并且延伸以至少覆盖所述台面结构的顶表面和边缘;并且优选地,其中所述光阻挡件包括:
在所述台面结构之上的钝化层,所述钝化层延伸到所述VCSEL设备的所述至少一个侧表面上;以及
在所述钝化层之上的金属层;并且优选地,其中所述金属层延伸到所述VCSEL设备的所述顶表面的外部部分并且覆盖所述VCSEL设备的所述顶表面的外部部分。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的光源结构,其中所述VCSEL设备的顶部部分包括衬底,并且其中所述光阻挡件还围绕所述衬底;并且优选地,其中:
i.所述VCSEL设备被设置在所述衬底的第一表面上,并且金属层被设置在所述衬底的第二表面上,所述第二表面与所述第一表面相对;和/或
ii.所述光阻挡件包括黑色基质材料。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的光源结构,其中所述光阻挡件包括金属。
8.一种制造光源结构的方法,包括:
在衬底上制造垂直腔表面发射激光器VCSEL设备,所述VCSEL设备具有顶表面和至少一个侧表面,所述至少一个侧表面与所述顶表面基本垂直并且邻接所述顶表面,所述VCSEL设备是可配置的以通过所述顶表面来输出定向发射的光;以及
形成光阻挡件,所述光阻挡件围绕所述VCSEL设备的至少顶部部分,并且与所述至少一个侧表面分离,所述光阻挡件被配置为通过所述至少一个侧表面接收来自所述VCSEL设备的自发发射。
9.根据权利要求8所述的方法,其中形成所述光阻挡件包括:
在所述VCSEL设备和所述衬底的顶表面之上沉积牺牲层;
去除所述牺牲层的在所述衬底的所述顶表面上的部分;
在所述衬底之上沉积光阻挡件层以形成所述光阻挡件;以及
去除所述牺牲层的在所述VCSEL设备上的部分。
10.根据权利要求8所述的方法,其中形成所述光阻挡件包括:
在所述VCSEL设备的所述顶部部分周围形成台面结构,所述台面结构通过腔与所述至少一个侧表面分离;
将所述台面结构和所述VCSEL设备的暴露表面氧化;
在所述台面结构之上形成钝化层,所述钝化层延伸以覆盖所述台面结构的顶表面、所述台面结构的面向所述腔的边缘、所述腔的底表面和所述VCSEL设备的所述至少一个侧表面;以及
在所述钝化层和所述VCSEL设备的所述顶表面的外部部分之上形成金属层。
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