[发明专利]磁阻效应元件及磁阻效应器件

权利要求书

1.一种磁阻效应元件，其具备磁阻效应层叠膜，所述磁阻效应层叠膜由反铁磁性层、形成在所述反铁磁性层上的第一铁磁性固定层、形成在所述第一铁磁性固定层上的第一非磁性层、形成在所述第一非磁性层上的铁磁性自由层以及形成在所述铁磁性自由层上且与所述铁磁性自由层的上表面接触的保护层构成，

所述保护层具有10nm以下的膜厚，包含氧化物反铁磁性体。

2.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，

所述保护层包含第一元素的氧化物，

所述第一元素为Ni、Cr、Fe、Co或Mn。

3.根据权利要求2所述的磁阻效应元件，

所述反铁磁性层包含所述第一元素的氧化物。

4.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，

所述第一非磁性层含有Cu，

所述第一铁磁性固定层或所述铁磁性自由层包含Fe、Ni、Co或它们的合金。

5.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，

所述第一铁磁性固定层包括第二铁磁性固定层、形成在所述第二铁磁性固定层上的第二非磁性层以及形成在所述第二非磁性层上的第三铁磁性固定层。

6.根据权利要求5所述的磁阻效应元件，

所述第二铁磁性固定层或所述第三铁磁性固定层包含Co或Co-Fe合金，

所述第二非磁性层包含Ru或Ir。

7.根据权利要求5所述的磁阻效应元件，

所述第二铁磁性固定层的磁化方向与所述第三铁磁性固定层的磁化方向处于相互反向平行的关系。

8.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，

所述反铁磁性层由含有Ni、Cr、Fe、Co或Mn的氧化物或者含有Fe、Mn、Pt或Ir的金属构成。

9.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，

进一步具有形成于所述反铁磁性层之下的基底层和形成于所述基底层之下的基板，

所述基底层由包含Ta、Ti、Ni、Cr或Fe的金属构成。

10.一种磁阻效应器件，其具备权利要求1所述的磁阻效应元件，

并且具有与磁阻效应层叠膜的上表面连接的多个电极。