[发明专利]用于控制功率的多芯片封装中的开漏晶体管监测电路

权利要求书

1.一种方法，其包括：

针对多个裸片中的每一相应裸片确定用于操作每一相应裸片的功耗；

从每一相应裸片产生对应于每一相应裸片的所述功耗的相应信号；

针对每一相应信号驱动相应开漏晶体管传导，每一开漏晶体管的输出耦合到共同节点，所述共同节点耦合到参考电压，其中驱动所述开漏晶体管中的一或多者传导改变对应于所述相应信号的所述共同节点的电压；及

利用所述共同节点的所述电压相对于所述参考电压的累积变化来指示所述多个裸片的总功耗。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括比较所述共同节点的所述电压与针对所述多个裸片设置的功耗的阈值电平。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述阈值电平是所述多个裸片的峰值功耗。

4.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括针对至少一个裸片，响应于确定所述共同节点的所述电压未超过所述阈值电平而执行功耗操作。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述参考电压是所述多个裸片的电源电压。

6.根据权利要求1所述的方法，其中每一相应信号驱动相应多个开漏晶体管。

7.根据权利要求6所述的方法，其中每一相应信号在传导时将所述开漏晶体管驱动成饱和。

8.一种非暂时性计算机可读存储媒体，其包括在由处理装置执行时能够致使所述处理装置执行包括以下的操作的指令：

针对多个裸片中的每一相应裸片确定用于操作每一相应裸片的功耗；

从每一相应裸片产生对应于每一相应裸片的所述功耗的相应信号；

针对每一相应信号驱动相应开漏晶体管传导，每一开漏晶体管的输出耦合到共同节点，所述共同节点耦合到参考电压，其中驱动所述开漏晶体管中的一或多者传导改变对应于所述相应信号的所述共同节点的电压；及

利用所述共同节点的所述电压相对于所述参考电压的累积变化来指示所述多个裸片的总功耗。

9.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述指令能够进一步致使所述处理装置执行包括以下的操作：比较所述共同节点的所述电压与针对所述多个裸片设置的功耗的阈值电平。

10.根据权利要求9所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述阈值电平是所述多个裸片的峰值功耗。

11.根据权利要求9所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述指令能够进一步致使所述处理装置执行包括以下的操作：针对至少一个裸片，响应于确定所述共同节点的所述电压未超过所述阈值电平而执行功耗操作。

12.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述参考电压是所述多个裸片的电源电压。

13.一种系统，其包括：

多个裸片，其中所述多个裸片中的每一裸片含有一或多个非易失性存储器组件，其中每一裸片包含功率管理逻辑以：

确定用于操作每一相应裸片的功耗；

产生对应于所述裸片的所述功耗的相应信号；及

驱动相应开漏晶体管传导以改变对应于所述相应信号的共同节点的电压；及

上拉电阻器，其用于将所述共同节点耦合到参考电压，其中所述共同节点的所述电压指示所述多个裸片的总功耗。

14.根据权利要求13所述的系统，其中所述多个裸片比较所述共同节点的所述电压与针对所述多个裸片设置的功耗的阈值电平。

15.根据权利要求14所述的系统，其中所述阈值电平是所述多个裸片的峰值功耗。