[发明专利]裸片上静电放电保护在审
申请号: | 202080058596.4 | 申请日: | 2020-08-12 |
公开(公告)号: | CN114270512A | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 刘凯;余晓菊;陆叶 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/60;H01L23/64;H01L23/66 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 裸片上 静电 放电 保护 | ||
公开了用于在电子设备中进行裸片上静电放电(ESD)保护的设备和方法。所公开的方面包括一种电子设备,该电子设备包括被布置在具有第一端口和第二端口的裸片内的受保护电路。第一电感器也被布置在裸片内并且电耦合到第一端口。第二电感器也被布置在裸片内并且电耦合到第二端口。第一电感器和第二电感器被布线成紧密邻近,并且被配置为使得第一电感器与第二电感器异相。
本专利申请要求于2019年08月22日提交的、题目为“ON-DIE ELECTROSTATICDISCHARGE PROTECTION”的临时申请No.62/890,467的权益,并且要求于2020年08月11日提交的、题目为“ON-DIE ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION”的非临时申请No.16/990,418的权益,两者被转让给本申请的受让人并且通过引用以其整体被明确并入本文中。
技术领域
本公开涉及电子设备的裸片上静电放电(ESD)保护,并且在另外的方面涉及嵌入在封装或集成电路中的滤波器或其他电路装置。
背景技术
通过有源组件的小型化,集成电路技术在提高计算能力方面取得了长足的进步。集成无源元件也已被小型化。随着频率和数据速率变得更高,需要进一步小型化集成无源组件,例如集成电路设备中的包括电感(L)元件和电容(C)元件的滤波器。此外,为了改进接收信号的质量,移动设备的某些组件可以被形成在绝缘衬底(例如,玻璃衬底)上。例如,电路组件可以被形成在玻璃衬底上以“隔离”该组件,以便减少来自移动设备的其他组件的噪声的影响。
在一些应用中,由于裸片上缺少ESD保护电路,基于电感器组件和电容器组件的集成无源设备(IPD)通常遭受较差的ESD性能。然而,在模块级添加ESD保护元件(例如电感器)会增加模块尺寸,并且如果集成无源设备(IPD)裸片在ESD电感器插入在模块中之前已经被ESD损坏,则无济于事。提供裸片上的ESD保护可以提供裸片上电路的保护,并且提供产量提高。因此,需要在裸片级实现ESD保护。
发明内容
以下发明内容标识了一些特征,并且不旨在作为所公开主题的排他性或详尽描述。在具体实施方式和所附权利要求中可以找到附加特征和另外细节。包含在发明内容中并不反映重要性。在阅读以下具体实施方式并且察看形成其一部分的附图后,附加方面对于本领域技术人员将变得明显。
根据本文公开的各个方面,至少一个方面包括一种电子设备,包括:被布置在具有第一端口和第二端口的裸片内的受保护电路;被布置在裸片内、被电耦合到第一端口的第一电感器;被布置在裸片内、被电耦合到第二端口的第二电感器,其中第一电感器和第二电感器被布置成紧密邻近,并且被配置为使得第一电感器与第二电感器异相,并且其中第一电感器和第二电感均被形成在受保护电路周围。
根据本文公开的各个方面,至少一个方面包括一种用于制造电子设备的方法,包括:制造被布置在具有第一端口和第二端口的裸片内的受保护电路;形成被布置在裸片内、被电耦合到第一端口的第一电感器;以及形成被布置在裸片内、被电耦合到第二端口的第二电感器,其中第一电感器和第二电感器被布线成紧密邻近,并且被配置为使第一电感器与第二电感器异相,其中第一电感器和第二电感均被形成在受保护电路周围。
基于附图和详细描述,与本文公开的方面相关联的其他目的和优点对于本领域技术人员将是明显的。
附图说明
附图被呈现以帮助描述本公开的实施例,并且被提供为仅用于说明所公开的各个方面而不是对其进行限制。
图1A是根据本公开的方面的描绘集成无源设备的方面的图示。
图1B是根据本公开的方面的描绘图1A的集成无源设备的一部分的图示。
图1C是根据本公开的方面的描绘金属绝缘体金属(MIM)电容器故障的方面的图示。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的