[发明专利]低温静电吸盘

说明书

本文描述的实施例涉及基板支撑组件，所述基板支撑组件使静电吸盘(ESC)能够进行低温操作，使得设置在基板支撑组件上的基板维持在适合进行处理的低温处理温度下，同时使处理腔室的其他表面维持在不同的温度。基板支撑组件包括静电吸盘(ESC)、ESC底座组件和设施板，ESC底座组件耦接至ESC、具有设置在ESC底座组件中的底座通道，且设施板具有设置在设施板中的设施通道。设施板包括板部分和壁部分。板部分耦接至ESC底座组件，且壁部分由密封组件耦接至ESC。由ESC、ESC底座组件、设施板的板部分、设施板的壁部分和密封组件限定真空区域。

背景

领域

本公开内容的实施例总体涉及半导体制造，并且更具体地，涉及使静电吸盘(ESC)能够进行低温操作的基板支撑组件。

相关技术说明

可靠地生产纳米和更小的特征是半导体器件的下一代超大规模集成(VLSI)和甚超大规模集成(ULSI)的关键技术挑战之一。然而，随着电路技术极限被推进，VLSI和ULSI互连技术的不断缩小的尺寸对处理能力提出了额外的要求。在基板上可靠地形成栅极结构对于VLSI和ULSI的成功以及对提高电路密度以及各个基板和晶粒的质量的持续努力至关重要。

为了降低制造成本，集成芯片(IC)制造商要求处理的每个硅基板具有更高的生产量以及更好的器件良率和性能。当前开发中正在探索的用于下一代器件的一些制造技术需要在低温下进行处理。干式反应性离子蚀刻均匀地维持在低温下的基板使离子能够以减少的自发蚀刻轰击设置在基板上的材料的面向上表面，从而形成具有光滑、垂直侧壁的沟槽。此外，在低温下可改善蚀刻一种材料相对于另一种材料的选择性。例如，随着温度降低，硅(Si)与二氧化硅(SiO₂)之间的选择性呈指数增长。

因此，需要一种适用于低温的改进的基板支撑组件。

发明内容

在一个实施例中，提供基板支撑组件。基板支撑组件包括静电吸盘(ESC)，所述静电吸盘(ESC)具有支撑表面和与支撑表面相对的底部表面。ESC具有设置在ESC中的吸附电极和一个或多个电阻式加热器。ESC底座组件耦接至ESC，ESC底座组件具有设置在ESC底座组件中的底座通道。设施板具有设置在设施板中的设施通道。设施板包括板部分和壁部分。板部分耦接至ESC底座组件且壁部分由密封组件耦接至ESC。由ESC、ESC底座组件、设施板的板部分、设施板的壁部分和密封组件限定真空区域。

在另一个实施例中，提供基板支撑组件。基板支撑组件包括静电吸盘(ESC)，所述静电吸盘(ESC)具有支撑表面和与支撑表面相对的底部表面。ESC具有设置在ESC中的吸附电极和一个或多个电阻式加热器。ESC底座组件耦接至ESC，ESC底座组件具有底座通道设置在ESC底座组件中。底座通道具有与加套的底座入口管流体连通的底座入口，加套的底座入口管设置为穿过设施板，绝缘体板耦接至设施板，并且接地板耦接至绝缘体板。底座通道具有与加套的底座出口管流体连通的底座出口，加套的底座出口管设置为穿过设施板、绝缘体板和接地板。设施板包括板部分和壁部分。板部分由一个或多个第一螺钉组件耦接至ESC底座组件，并且壁部分由密封组件耦接至ESC。设施板具有设置在设施板中的设施通道。密封组件包括聚四氟乙烯(PTFE)主体，所述聚四氟乙烯(PTFE)主体具有设置在聚四氟乙烯(PTFE)主体中的螺旋弹簧。由ESC、ESC底座组件、设施板的板部分、设施板的壁部分和密封组件限定真空区域。