[发明专利]在线端的自对准顶部过孔形成在审
申请号: | 202080069804.0 | 申请日: | 2020-09-24 |
公开(公告)号: | CN114503249A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | A.杜塔;J.阿诺德;D.梅特兹勒 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/522 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王蕊瑞 |
地址: | 美国纽*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 在线 对准 顶部 形成 | ||
1.一种在线端处形成自对准过孔的方法,所述方法包括以下步骤:
使用硬掩模图案化包括交替的偶数和奇数金属线的金属线,所述硬掩模包括用于图案化所述偶数金属线的第一硬掩模和用于图案化所述奇数金属线的第二硬掩模;
使用切割掩模切割所述硬掩模和偶数的或奇数的选定金属线,所述切割掩模具有在所述选定金属线的切割区域上方暴露所述硬掩模的窗口;
扩大所述切割掩模中的所述窗口以暴露所述选定金属线的所述切割区域的任一侧上的所述硬掩模;
使用所述切割掩模中的扩大的窗口选择性地蚀刻所述硬掩模,以在所述选定金属线的所述切割区域内形成T形空腔;
用间隙填充电介质填充所述T形腔;
去除所述硬掩模;以及
使所述金属线相对于所述间隙填充电介质选择性地凹陷,其中所述间隙填充电介质悬垂于所述选定金属线的通过所述凹陷而在所述金属线的端部处形成所述自对准过孔的部分。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一硬掩模和所述第二硬掩模包括不同的材料。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述第一硬掩模包括从由以下构成的组中选择的材料:钛(Ti)、钽(Ta)、氧化钛(TiOx)、氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)、以及它们的组合。
4.根据权利要求2所述的方法,其中,所述第二硬掩模包括从由以下构成的组中选择的材料:氮化硅(SiN)、碳氮化硅(SiCN)、含氢的碳氮化硅(SiCNH)、碳化硅(SiC)、以及它们的组合。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述偶数金属线和所述奇数金属线包括选自由钨(W)、钴(Co)、钌(Ru)及其组合构成的组的金属。
6.根据权利要求1所述的方法,进一步包括以下步骤:
在所述偶数金属线、所述奇数金属线和所述硬掩模之上沉积电介质。
7.根据权利要求1所述的方法,进一步包括以下步骤:
使用所述切割掩模在所述选定金属线之上图案化所述硬掩模;以及
将图案从所述硬掩模转移到所述选定金属线以切割所述选定金属线。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,使用横向蚀刻来扩大所述切割掩模中的所述窗口。
9.根据权利要求1所述的方法,进一步包括以下步骤:
在所述凹陷之后抛光所述间隙填充电介质。
10.根据权利要求1所述的方法,进一步包括以下步骤:
使用具有窗口的掩模切割所述硬掩模,所述窗口在所述金属线之一的非线端上方暴露所述硬掩模,以在所述硬掩模中形成间隙;以及
利用所述间隙填充电介质填充所述硬掩模中的所述间隙,由此,相对于所述间隙中的所述间隙填充电介质选择性凹陷所述金属线形成非线端过孔。
11.根据权利要求1所述的方法,进一步包括以下步骤:
去除所述间隙填充电介质的悬垂部,使得通过所述凹陷仅在所述选定金属线的一个端部处形成自对准。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造