[发明专利]垂直场效应晶体管和用于其构造的方法

权利要求书

1.一种垂直场效应晶体管(200，300，400，500，600，700)，其具有：

具有第一导电性类型的漂移区域(204)；

在所述漂移区域(204)上或者在所述漂移区域(204)上方的半导体鳍片(206)；和

在所述半导体鳍片(206)上或者在所述半导体鳍片(206)上方的源电极/漏电极(214，216)，

其中，所述半导体鳍片(206)具有能导电的区域(208)和限制结构(210)，所述能导电的区域将所述源电极/漏电极(214，216)与所述漂移区域(204)能导电地连接，所述限制结构在横向上构造在所述能导电的区域(208)旁边并且从所述源电极/漏电极(214，216)向所述漂移区域(204)延伸，其中，所述限制结构(210)设置用于，将所述垂直场效应晶体管在所述半导体鳍片(206)中的导电的通道限制到所述能导电的区域(208)的区域上。

2.根据权利要求1所述的垂直场效应晶体管(200，300，400，500，600，700)，其中，所述限制结构(210)延伸至进入所述漂移区域(204)中。

3.根据权利要求1或2所述的垂直场效应晶体管(200，300，400，500，600，700)，其中，所述限制结构(210)具有与所述第一导电性类型相反的第二导电性类型。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的垂直场效应晶体管(200，300，400，500，600，700)，其中，所述限制结构(210)是不导电的。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的垂直场效应晶体管(200，300，400，500，600，700)，所述垂直场效应晶体管还具有

栅电极(212)，所述栅电极构造在所述半导体鳍片(206)的至少一个侧壁旁边，

其中，所述限制结构(210)具有布置在所述漂移区域(204)中的以下区域：该区域横向地朝向所述栅电极(212)延伸。

6.根据权利要求3所述的垂直场效应晶体管(200，300，400，500，600，700)，其中，所述限制结构(210)在横向地布置在所述栅电极(212)旁边的第一区段(404)中具有比在第二区段中更大的横向的延展，从而在所述半导体鳍片(206)的与所述限制结构(210)的第一区段(404)相对应的区域中的能导电的区域具有收缩的区段(402)。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的垂直场效应晶体管(200，300，400，500，600，700)，其中，所述漂移区域(204)是n型导电的，其中，所述限制结构(210)具有至少一个p型导电的区域。

8.根据以上权利要求中任一项所述的垂直场效应晶体管(200，300，400，500，600，700)，其中，所述限制结构(210)在横向上完全地由所述能导电的区域(208)包围。

9.根据以上权利要求中任一项所述的垂直场效应晶体管(200，300，400，500，600，700)，其中，所述限制结构(210)和所述能导电的区域共轴状地构造。

10.根据以上权利要求中任一项所述的垂直场效应晶体管(200，300，400，500，600，700)，其中，所述限制结构(210)构造在所述半导体鳍片(206)的至少一个侧壁处。

11.一种用于构造垂直场效应晶体管的方法，所述方法具有：

构造具有第一导电性类型的漂移区域(204)；

在所述漂移区域(204)上或者在所述漂移区域(204)上方构造半导体鳍片(206)；和

在所述半导体鳍片(206)上或者在所述半导体鳍片(206)上方构造源电极/漏电极(214，216)，

其中，所述半导体鳍片(206)具有能导电的区域(208)和限制结构(210)，所述能导电的区域将所述源电极/漏电极(214，216)与所述漂移区域(204)能导电地连接，所述限制结构横向地构造在所述能导电的区域(208)旁边并且从所述源电极/漏电极(214，216)向所述漂移区域(204)延伸，其中，所述限制结构(210)设置用于，将所述垂直场效应晶体管在所述半导体鳍片(206)中的导电的通道限制到所述能导电的区域(208)的区域上。