[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202080077041.4 | 申请日: | 2020-09-03 |
公开(公告)号: | CN114631192A | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 金德星 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/15 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,包括:
衬底;
第一堤部结构和第二堤部结构,设置成在所述衬底上彼此间隔开;
第一电极和第二电极,所述第一电极设置在所述第一堤部结构上,所述第二电极设置在所述第二堤部结构上;以及
发光元件,设置在所述第一电极和所述第二电极之间,
其中,所述堤部结构包括基础层、设置在所述基础层上的上部层、以及设置在所述基础层和所述上部层之间的中间层,以及
所述第一电极设置成覆盖所述第一堤部结构。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述衬底中限定有发射区域和非发射区域,以及
所述第一堤部结构、所述第二堤部结构和所述发光元件设置在所述发射区域中。
3.根据权利要求2所述的显示装置,还包括第一晶体管,所述第一晶体管设置在所述衬底的所述非发射区域中,并且包括第一有源材料层、设置在所述第一有源材料层上的第一栅电极和与所述第一有源材料层的至少部分区域接触的源/漏电极,
其中,所述第一栅电极设置在与所述堤部结构的所述基础层相同的层处。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述第一晶体管的所述源/漏电极设置在与所述堤部结构的所述上部层相同的层处。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述第一电极至少部分地设置在所述非发射区域中,以及
所述第一电极的设置在所述非发射区域中的一部分与所述第一晶体管的所述源/漏电极接触。
6.根据权利要求2所述的显示装置,还包括第三堤部结构和第三电极,所述第三堤部结构设置在所述衬底的所述发射区域中且设置在所述第一堤部结构和所述第二堤部结构之间,所述第三电极设置在所述第三堤部结构上。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述发光元件包括设置在所述第一堤部结构与所述第三堤部结构之间的第一发光元件和设置在所述第三堤部结构与所述第二堤部结构之间的第二发光元件,
所述第一发光元件具有与所述第一电极电连接的一端,以及
所述第二发光元件具有与所述第二电极电连接的一端。
8.根据权利要求2所述的显示装置,还包括第一平坦化层和外堤部层,所述第一平坦化层在所述非发射区域中设置在所述源/漏电极上,所述外堤部层设置成在所述发射区域中围绕所述堤部结构。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,从所述衬底的上表面到所述第一平坦化层的上表面的高度与从所述衬底的所述上表面到所述外堤部层的上表面的高度基本上相同。
10.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述堤部结构的所述中间层设置成围绕所述基础层的外表面。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述上部层在厚度方向上与所述基础层的至少部分区域重叠,并且所述中间层介于所述上部层和所述基础层之间。
12.根据权利要求1所述的显示装置,还包括设置在所述第一电极和所述第二电极上的至少部分区域上的第一绝缘层,
其中,所述第一绝缘层设置成不与所述第一电极的设置在所述第一堤部结构上的一部分的至少部分区域重叠。
13.根据权利要求12所述的显示装置,还包括设置在所述第一绝缘层的至少部分区域上的第二绝缘层,
其中,所述第二绝缘层设置成使得所述第一电极的不与所述第一绝缘层重叠的一部分被暴露。
14.根据权利要求13所述的显示装置,其中,所述发光元件设置在所述第一绝缘层上,以及
所述第二绝缘层的至少一部分设置在所述发光元件上,并且设置成使得所述发光元件的两端被暴露。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的