[发明专利]半导体装置、显示装置及电子设备在审
| 申请号： | 202080078058.1 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN114730807A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 佐藤学;川岛进;楠紘慈;森英典;松本裕功;黑崎大辅;神长正美;中田昌孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 李晗;姚鹏 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 显示装置 电子设备 | ||
1.一种半导体装置，包括：
第一晶体管；
第二晶体管；
电容器；以及
第一至第四布线，
其中，所述第一晶体管包括第一半导体层及隔着所述第一半导体层彼此重叠的第一栅极及第二栅极，
所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与所述第一布线及所述第二栅极电连接，所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第二晶体管的源极和漏极中的一个及所述电容器的一个电极电连接，
所述第二晶体管包括第二半导体层及第三栅极，
所述第二晶体管的所述第三栅极与所述电容器的另一个电极电连接，所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第二布线电连接，
所述第一布线被供应第一电位，
所述第二布线交替被供应第二电位及第三电位，
所述第一电位比所述第二电位低，
所述第三电位比所述第二电位低，
所述第三布线与所述第一栅极电连接并被供应第一信号，
并且，所述第四布线与所述第三栅极电连接并被供应使所述第一信号反转的第二信号。
2.一种半导体装置，包括：
控制电路；
第一晶体管；
第二晶体管；
电容器；以及
第一至第四布线，
其中，所述第一晶体管包括第一半导体层及隔着所述第一半导体层彼此重叠的第一栅极及第二栅极，
所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与所述第一布线及所述第二栅极电连接，所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第二晶体管的源极和漏极中的一个及所述电容器的一个电极电连接，
所述第二晶体管包括第二半导体层及第三栅极，
所述第二晶体管的所述第三栅极与所述电容器的另一个电极电连接，所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第二布线电连接，
所述第一布线被供应第一电位，
所述第二布线交替被供应第二电位及第三电位，
所述第一电位比所述第二电位低，
所述第三电位比所述第二电位低，
所述控制电路与所述第一栅极通过所述第三布线电连接，
所述控制电路与所述第三栅极通过所述第四布线电连接，
并且，所述控制电路向所述第三布线输出第一信号且向所述第四布线输出使所述第一信号反转的第二信号。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，
其中所述第一晶体管的所述第二栅极位于所述第一半导体层下，
所述第二栅极与所述第一晶体管的所述源极和漏极中的一个通过第一导电层电连接，
并且所述第一导电层与所述第一栅极位于同一面上。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，
其中所述第二晶体管包括隔着所述第二半导体层与所述第三栅极重叠的第四栅极，
并且所述第三栅极与所述第四栅极电连接。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，还包括：
第三晶体管；以及
第五布线，
其中所述第四布线与所述第二晶体管的所述第三栅极通过所述第三晶体管电连接，
所述第三晶体管包括第五栅极，
所述第三晶体管的所述第五栅极与所述第五布线电连接，所述第三晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二晶体管的所述第三栅极电连接，所述第三晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第四布线电连接，
所述第五布线被供应第四电位，
并且所述第四电位比所述第一电位及所述第三电位高。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，
其中所述第三晶体管包括第六栅极，
所述第五栅极与所述第六栅极电连接。
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