[发明专利]计算机系统及信息处理装置的工作方法在审

专利信息
申请号: 202080079582.0 申请日: 2020-11-09
公开(公告)号: CN114730582A 公开(公告)日: 2022-07-08
发明(设计)人: 山崎舜平;池田隆之;国武宽司 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: G11C5/02 分类号: G11C5/02
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 宋俊寅
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 计算机系统 信息处理 装置 工作 方法
【权利要求书】:

1.一种计算机系统,包括:

处理器;以及

存储器,

其中,所述处理器包括存储部,

所述存储部包括在沟道形成区域中包含金属氧化物的晶体管,

所述处理器与所述存储器位于彼此重叠的位置,

并且,在所述处理器与所述存储器之间不连接DRAM。

2.一种计算机系统,包括:

处理器;以及

存储器,

其中,所述处理器包括存储部,

所述存储部包括在沟道形成区域中包含金属氧化物的晶体管,

并且,所述处理器与所述存储器位于彼此重叠的位置。

3.一种计算机系统,包括:

具有处理器的计算机节点,

其中,所述处理器包括存储部,

所述存储部包括第一晶体管、第二晶体管及电容器,

所述第一晶体管和所述第二晶体管的每一个在沟道形成区域中包含金属氧化物,

所述第一晶体管的第一端子与所述第二晶体管的栅极电连接,

并且,所述第二晶体管的栅极与所述电容器的第一端子电连接。

4.根据权利要求3所述的计算机系统,其中所述处理器包括SRAM且不包括触发器。

5.一种计算机系统,包括:

计算机节点,

其中,所述计算机节点包括处理器及三维结构的NAND型存储装置,

所述三维结构的NAND型存储装置包括在沟道形成区域中包含金属氧化物的晶体管,

并且,所述计算机节点不包括DRAM。

6.一种信息处理装置的工作方法,该信息处理装置包括:

运算处理装置;

存储装置;以及

多个布线,

其中,所述存储装置包括多个串,

并且,所述多个串之一通过所述多个布线之一电连接于所述运算处理装置,

所述驱动方法如下:将通过串行传输输入的第一数据转换为多个第二数据,将所述多个第二数据分别分配给所述多个布线,并且响应所述触发信号对所述多个串同时供应所述多个第二数据。

7.根据权利要求6所述的信息处理装置的工作方法,

其中所述串包括多个存储单元,

并且所述存储单元包含氧化物半导体。

8.根据权利要求6或7所述的信息处理装置的工作方法,

其中所述存储装置为NAND型存储装置。

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