[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202080092851.7 申请日: 2020-12-24
公开(公告)号: CN114981959A 公开(公告)日: 2022-08-30
发明(设计)人: 神田泽水 申请(专利权)人: 罗姆股份有限公司
主分类号: H01L23/36 分类号: H01L23/36;H01L25/07;H01L25/18
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 金成哲;郑毅
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【说明书】:

本发明提供半导体装置(1),其具备:第一绝缘部件(10A)、第一驱动导电层(20A)、第一半导体元件(50A)、第二绝缘部件(10B)、第二驱动导电层(20B)、第二半导体元件(50B)、连接部件(90)、以及封固树脂(70)。封固部件(70)将第一半导体元件(50A)、第二半导体元件(50B)和连接部件(90)封固。连接部件(90)在第一绝缘部件(10A)和/或第一驱动导电层(20A)、与第二绝缘部件(10B)和/或第二驱动导电层(20B)之间形成传热路径。连接部件(90)的热导率比封固树脂(70)的热导率高。

技术领域

本公开涉及半导体装置。

背景技术

作为半导体装置的一例,公知有双面散热结构的半导体装置,其具备:设置于第一绝缘部件上的第一半导体元件、比第一半导体元件更靠上方配置的第二绝缘部件、以及设置于第二绝缘部件上的第二半导体元件(例如参照专利文献1)。该半导体装置构成为,在第一绝缘部件上安装有第一冷却器,且在第二绝缘部件上安装有第二冷却器。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2010-97967号公报

发明内容

发明所要解决的课题

但是,根据安装位置的状态不同,上述半导体装置有可能以如下状态进行使用,即:省略第一冷却器和第二冷却器的任意一方的状态,例如是省略了第二冷却器的状态。此时,从第一半导体元件到第一冷却器的热阻、与从第二半导体元件到第一冷却器的热阻的差增大。其结果是,在半导体装置驱动时,第一半导体元件和第二半导体元件中的热阻较高的一方的温度升高,因此有可能无法充分发挥半导体装置的性能。

本公开的目的在于提供一种半导体装置,能够抑制从第一半导体元件到冷却器的热阻与从第二半导体元件到冷却器的热阻的差增加。

用于解决课题的方案

关于解决上述课题的半导体装置,具备:第一绝缘部件,其具有在厚度方向上彼此朝向相反侧的第一绝缘主面和第一绝缘背面,且露出所述第一绝缘背面;第一驱动导电层,其设置在所述第一绝缘主面上;第一半导体元件,其搭载于所述第一驱动导电层;第二绝缘部件,其具有在所述厚度方向上彼此朝向相反侧的第二绝缘主面和第二绝缘背面,且露出所述第二绝缘背面,并以所述第二绝缘主面与所述第一绝缘主面在所述厚度方向上对置的方式相对于所述第一绝缘部件在所述厚度方向上分离地配置;第二驱动导电层,其设置在所述第二绝缘主面上;第二半导体元件,其搭载于所述第二驱动导电层;连接部件,其在所述第一绝缘部件和所述第一驱动导电层中的至少一方、与所述第二绝缘部件和所述第二驱动导电层中的至少一方之间形成传热路径;以及封固树脂,其将所述第一半导体元件、所述第二半导体元件和所述连接部件封固,所述连接部件的热导率比所述封固树脂的热导率高。

根据该结构,经由连接部件形成从第二半导体元件到冷却器的传热路径,因此能够抑制当没有在搭载第二半导体元件的第二绝缘部件安装冷却器时,从第一半导体元件到冷却器的热阻与从第二半导体元件到冷却器的热阻的差增加。

发明的效果

根据上述半导体装置,能够抑制从第一半导体元件到冷却器的热阻与从第二半导体元件到冷却器的热阻的差增加。

附图说明

图1是本实施方式的半导体装置的立体图。

图2是图1的半导体装置的俯视图。

图3是图1的半导体装置的侧视图。

图4是从与图3不同的方向观察的图1的半导体装置的侧视图。

图5是从与图3和图4不同的方向观察的图1的半导体装置的侧视图。

图6是本实施方式的半导体装置的第一半导体组件的俯视图。

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