[发明专利]形成微电子装置的方法以及相关的微电子装置及电子系统

权利要求书

1.一种微电子装置，其包括：

存储器阵列区，所述存储器阵列区包括：

堆叠结构，其包括竖直交替的导电结构与绝缘结构；

位于所述堆叠结构内的存储器单元的竖直延伸串；

控制逻辑区，所述控制逻辑区下伏于所述堆叠结构，且包括经配置以实现所述存储器单元的竖直延伸串的控制操作的一部分的控制逻辑装置；及

额外控制逻辑区，所述额外控制逻辑区上覆于所述堆叠结构，且包括经配置以实现所述存储器单元的竖直延伸串的所述控制操作的额外部分的额外控制逻辑装置。

2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述额外控制逻辑区的所述额外控制逻辑装置经配置以在小于或等于约1.4V的施加电压下操作。

3.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述额外控制逻辑区的所述额外控制逻辑装置经配置以在处于从约0.7V到约1.3V的范围内的施加电压下操作。

4.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述控制逻辑装置及所述额外控制逻辑装置各自个别地包括CMOS电路系统。

5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的微电子装置，其进一步包括：

导电垫结构，其下伏于所述堆叠结构且电连接到所述控制逻辑装置；及

额外导电垫结构，其上覆于所述堆叠结构且电连接到所述额外控制逻辑装置。

6.根据权利要求5所述的微电子装置，其进一步包括完全穿过所述堆叠结构竖直延伸并电连接到所述导电垫结构中的至少一者及所述额外导电垫结构中的至少一者的至少一个导电接点结构。

7.根据权利要求5所述的微电子装置，其进一步包括：

导电线结构，其竖直介于所述堆叠结构与所述额外导电垫结构之间；

导电布线结构，其竖直介于所述导电线结构与所述额外导电垫结构之间；及

互连件结构，其竖直介于所述导电布线结构与所述额外导电垫结构之间。

8.根据权利要求7所述的微电子装置，其中：

所述导电布线结构包括铝；且

所述互连件结构包括铜。

9.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的微电子装置，其进一步包括额外存储器阵列区，所述额外存储器阵列区下伏于所述控制逻辑区且包括：

额外堆叠结构，其包括竖直交替的额外导电结构与额外绝缘结构；及

位于所述额外堆叠结构内的存储器单元的额外竖直延伸串。

10.一种形成微电子装置的方法，其包括：

形成第一微电子装置结构，所述第一微电子装置结构包括：

控制逻辑区，其包括控制逻辑装置；及

存储器阵列区，其位于所述控制逻辑区上方且包括：

堆叠结构，其包括竖直交替的导电结构与绝缘结构；及

位于所述堆叠结构内的存储器单元的竖直延伸串；

形成第二微电子装置结构，所述第二微电子装置结构包括额外控制逻辑区，其包括额外控制逻辑装置；及

将所述第一微电子装置结构附接到所述第二微电子装置结构，使得所述堆叠结构竖直插入于所述控制逻辑区与所述额外控制逻辑区之间。

11.根据权利要求10所述的方法，其中：

形成第一微电子装置结构包括将所述第一微电子装置结构形成为进一步包括位于所述堆叠结构上方并与其电连通的接合垫结构；

形成第二微电子装置结构包括将所述第二微电子装置结构形成为进一步包括位于所述额外控制逻辑区的所述额外控制逻辑装置上方并与其电连通的额外接合垫结构；且

将所述第一微电子装置结构附接到所述第二微电子装置包括物理上接触并加热所述接合垫结构及所述额外接合垫结构以由此形成互连件结构。