[发明专利]形成微电子装置的方法以及相关的微电子装置及电子系统

说明书

一种微电子装置包括存储器阵列区、控制逻辑区及额外控制逻辑区。所述存储器阵列区包括：堆叠结构，其包括竖直交替的导电结构与绝缘结构；及位于所述堆叠结构内的存储器单元的竖直延伸串。所述控制逻辑区下伏于所述堆叠结构，且包括经配置以实现所述存储器单元的竖直延伸串的控制操作的一部分的控制逻辑装置。所述额外控制逻辑区上覆于所述堆叠结构，且包括经配置以实现所述存储器单元的竖直延伸串的所述控制操作的额外部分的额外控制逻辑装置。还描述了形成微电子装置的方法以及额外微电子装置及电子系统。

优先权主张

本申请案主张2020年1月14日申请的名为“形成微电子装置的方法以及相关的微电子装置及电子系统(METHODS OF FORMING MICROELECTRONIC DEVICES,AND RELATEDMICROELECTRONIC DEVICES AND ELECTRONIC SYSTEMS)”的第16/742,485号美国专利申请案的申请日的权益。

技术领域

在各种实施例中，本公开大体上涉及微电子装置设计及制造的领域。更特定地说，本公开涉及形成微电子装置的方法，且涉及相关的微电子装置及电子系统。

背景技术

微电子装置设计者常常需要通过减小个别特征的尺寸且通过减小相邻特征之间的分隔距离来提高微电子装置内的特征的集成或密度的水平。另外，微电子装置设计者常常需要设计不仅紧凑而且提供性能优势以及简化设计的架构。

微电子装置的一个实例是存储器装置。存储器装置通常经提供为计算机或电子装置中的内部集成电路。存在许多类型的存储器装置，包含(但不限于)非易失性存储器装置(例如，NAND门快闪存储器装置)。增大非易失性存储器装置中的存储器密度的一种方式是利用竖直存储器阵列(也被称作“三维(3D)存储器阵列”)架构。常规竖直存储器阵列包含竖直存储器串，其延伸穿过包含具有导电结构与介电材料的层叠的一或多个叠(例如，堆叠结构)中的开口。每一竖直存储器串可包含至少一个选择装置，其串联耦合到竖直堆叠的存储器单元的串联组合。相较于运用常规平坦(例如，二维)晶体管布置的结构，此配置通过在裸片上向上(例如，竖直地)建构阵列来准许较大数目个开关装置(例如，晶体管)被定位在裸片区域单位中(即，所消耗的作用表面的长度及宽度)。

下伏于存储器装置(例如，非易失性存储器装置)的存储器阵列的基底控制逻辑结构内的控制逻辑装置已被用以控制存储器装置的存储器单元上的操作(例如，存取操作、读取操作、写入操作)。控制逻辑装置的组合件可经提供为凭借布线及互连结构与存储器阵列的存储器单元电连通。然而，用于在基底控制逻辑结构上方形成存储器阵列的处理条件(例如，温度、压力、材料)可限制基底控制逻辑结构内的控制逻辑装置的配置及性能。另外，用于基底控制逻辑结构内的不同控制逻辑装置的数量、尺寸及布置也可不合需要地妨碍存储器装置的大小(例如，水平覆盖面积)的减小，及/或存储器装置的性能的改进(例如，较快存储器单元接通/断开速度、下阈值切换电压要求、较快数据传送速率、较低功率消耗)。

因此，需要形成微电子装置(例如，存储器装置，例如NAND门快闪存储器装置)的新方法，以及新的微电子装置及电子系统。

发明内容

在一些实施例中，一种微电子装置包括存储器阵列区、控制逻辑区及额外控制逻辑区。所述存储器阵列区包括：堆叠结构，其包括竖直交替的导电结构与绝缘结构；及位于所述堆叠结构内的存储器单元的竖直延伸串。所述控制逻辑区下伏于所述堆叠结构，且包括经配置以实现所述存储器单元的竖直延伸串的控制操作的一部分的控制逻辑装置。所述额外控制逻辑区上覆于所述堆叠结构，且包括经配置以实现所述存储器单元的竖直延伸串的所述控制操作的额外部分的额外控制逻辑装置。