[发明专利]可用于测量半导体装置偏移的具有装置级特征的偏移目标

说明书

一种用于在晶片上制造功能性半导体装置时测量形成于所述晶片上的至少第一层与第二层之间的偏移的目标及其使用方法，所述功能性半导体装置包含功能性装置结构(FDST)，所述目标包含：多个测量结构(MST)，所述多个MST是所述第一层及所述第二层的部分；及多个类装置结构(DLST)，所述多个DLST是所述第一层及所述第二层中的至少一者的部分，所述DLST与所述FDST共享至少一个特性且所述MST不与所述FDST共享所述至少一个特性。

相关申请案的参考

特此参考2020年4月15日申请且标题为“用于准确度及装置相关性的独立叠加目标(INDIE OVERLAY TARGETS FOR ACCURACY AND DEVICE CORRELATION)”的序列号为63/010,096的美国临时专利申请案，所述申请案的公开内容特此以引用方式并入且特此主张其优先权。

还参考与本申请案的标的物相关的申请人的下列专利及专利申请案，所述申请案的公开内容特此以引用方式并入：

标题为“用于确定叠加的设备及方法及其用途(APPARATUS AND METHODS FORDETERMINING OVERLAY AND USES OF SAME)”的第7,608,468号美国专利；

标题为“叠加计量及控制方法(OVERLAY METROLOGY AND CONTROL METHOD)”的第7,804,994号美国专利；

标题为“多层叠加计量目标及互补叠加计量测量系统(MULTI-LAYER OVERLAYMETROLOGY TARGET AND COMPLIMENTARY OVERLAY METROLOGY MEASUREMENT SYSTEMS)”的第9,927,718号美国专利；

标题为“复合成像计量目标(COMPOUND IMAGING METROLOGY TARGETS)”的第10,527,951号美国专利；

标题为“使用散射测量检测叠加误差的设备及方法(APPARATUS AND METHODS FORDETECTING OVERLAY ERRORS USING SCATTEROMETRY)”的第1,570,232号欧洲专利；

2019年4月10日申请的且标题为“叠纹目标及其在测量半导体装置的偏移中的使用方法(TARGET AND METHOD FOR USING THE SAME IN MEASURINGMISREGISTRATION OF SEMICONDUCTOR DEVICES)”的第PCT/US2019/026686号PCT专利申请案；及

2019年6月4日申请且标题为“使用组合光学及电子束技术的偏移测量(MISREGISTRATION MEASUREMENTS USING COMBINED OPTICAL AND ELECTRON BEAMTECHNOLOGY)”的第PCT/US2019/035282号PCT申请案。

技术领域

本发明大体上涉及半导体装置制造时的偏移测量。

背景技术

已知用于测量半导体装置制造时的偏移的各种方法及系统。

发明内容

本发明寻求提供用于测量半导体装置制造时的偏移的改进方法及系统。

因此，根据本发明的优选实施例提供一种用于在晶片上制造功能性半导体装置时测量形成于所述晶片上的至少第一层与第二层之间的偏移的目标，所述功能性半导体装置包含功能性装置结构(FDST)，所述目标包含：多个测量结构(MST)，所述多个MST是所述第一层及所述第二层的部分；及多个类装置结构(DLST)，所述多个DLST是所述第一层及所述第二层中的至少一者的部分，所述DLST与所述FDST共享至少一个特性且所述MST不与所述FDST共享所述至少一个特性。