[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及等离子体生成装置

说明书

本发明提供一种结构，其具备：处理室，其对基板进行处理；气体供给系统，其对处理室内供给处理气体；等离子体生成部，其设置为向处理室的内部突出，构成为具有线圈和绝缘部件，且在处理室内生成处理气体的等离子体；以及调整机构，其能够调整线圈与绝缘部件的间隙距离。

技术领域

本公开涉及一种基板处理装置、半导体装置的制造方法以及等离子体生成装置。

背景技术

以大规模集成电路(Large Scale Integrated Circuit)、DRAM(Dynamic RandomAccess Memory)、Flash Memory等为代表的半导体装置随着高集成化，电路图案的微细化不断发展。在半导体装置的制造工序中，作为实现微细化的处理，进行使用了等离子体的处理(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015－092533号公报

发明内容

发明所要解决的课题

在半导体装置的制造工序中，对半导体基板(以下，简称为“基板”。)供给规定的气体而进行工艺处理，但要求在该基板的面内均匀地进行处理。然而，由于随着微细化引起的基板表面积的增加，有时无法向基板面内均匀地供给活性化的气体。在这种情况下，存在在基板面内难以形成均匀的膜的问题。

本公开提供能够在基板面内实施均匀的膜的形成的技术。

用于解决课题的方案

根据本公开的一方案，提供一种结构，其具备：

处理室，其对基板进行处理；

气体供给系统，其对上述处理室内供给处理气体；

等离子体生成部，其设置为向上述处理室的内部突出，构成为具有线圈和绝缘部件，且在上述处理室内生成上述处理气体的等离子体；以及

调整机构，其能够调整上述线圈与上述绝缘部件的间隙距离。

发明效果

根据本公开的技术，能够在基板面内实施均匀的膜的形成。

附图说明

图1是本公开的第一实施方式的基板处理装置的概略结构图。

图2是本公开的第一实施方式的基板处理装置的绝缘部件与线圈的组合形态的示意图。

图3是表示本公开的第一实施方式的基板处理装置的高频电力的投入效率特性的图表。

图4是本公开的第一实施方式的基板处理装置的控制器的概略结构图。

图5是表示本公开的第一实施方式的基板处理工序的流程图。

图6是本公开的第一实施方式的基板处理工序的序列例。

图7是本公开的第二实施方式的基板处理装置的概略结构图。

图8是本公开的第三实施方式的基板处理装置的概略结构图。

具体实施方式

以下，对本公开的实施方式进行说明。

＜第一实施方式＞

以下，结合附图对本公开的第一实施方式进行说明。

(1)基板处理装置的结构

首先，对本公开的第一实施方式的基板处理装置100的结构进行说明。基板处理装置100例如为绝缘膜形成单元，如图1所示，构成为单片式基板处理装置。

(处理容器)