[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供衬底，于所述衬底内形成沟槽结构；

于所述沟槽结构内形成第一介质层，所述第一介质层的顶面低于所述沟槽结构的顶面；

于所述沟槽结构内形成保护层，所述保护层至少覆盖所述第一介质层的表面及所述沟槽结构的部分侧壁。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：

所述衬底包括阵列区及位于所述阵列区外围的外围区；

所述沟槽结构包括第一沟槽结构、第二沟槽结构、第三沟槽结构及第四沟槽结构；

所述第一沟槽结构及所述第二沟槽结构均位于所述阵列区内；

所述第三沟槽结构及所述第四沟槽结构均位于所述外围区内。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：

所述第一沟槽结构的宽度小于所述第二沟槽结构的宽度，且所述第一沟槽结构的深度小于所述第二沟槽结构的深度；

所述第三沟槽结构的宽度小于所述第四沟槽结构的宽度，所述第三沟槽结构的深度及所述第四沟槽结构的深度与所述第二沟槽结构的深度均相同。

4.根据权利要求2或3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述沟槽结构内形成第一介质层的步骤包括：

于所述第一沟槽结构内、所述第二沟槽结构内、所述第三沟槽结构内、所述第四沟槽结构内及所述衬底的表面形成第一介质材料层，所述第一介质材料层填满所述第一沟槽结构，并覆盖所述第二沟槽结构、所述第三沟槽结构及所述第四沟槽结构的底部及侧壁；

去除位于所述衬底的表面的所述第一介质材料层，并去除位于所述沟槽结构内的部分所述第一介质材料层，以形成所述第一介质层。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述沟槽结构内形成保护层的步骤包括：

于所述第一沟槽结构内、所述第二沟槽结构内、所述第三沟槽结构内、所述第四沟槽结构内及所述衬底的表面形成保护材料层，所述保护材料层填满所述第一沟槽结构、所述第二沟槽结构及所述第三沟槽结构，并覆盖位于所述第四沟槽结构内的所述第一介质层的表面。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述保护材料层后，还包括：

于所述保护材料层的表面形成第二介质材料层，所述第二介质材料层覆盖所述保护材料层的表面，并填满所述第四沟槽结构；

去除位于所述衬底的表面上的所述保护材料层及位于所述衬底的表面上的所述第二介质材料层，剩余的所述保护材料层构成所述保护层，剩余的所述第二介质材料层构成第二介质层。

7.根据权利要求1-3任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺、原位水汽生长工艺及快速热氧化工艺中的至少一种于所述沟槽结构内形成氧化硅层作为所述第一介质层。

8.根据权利要求1-3任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述沟槽结构内形成氮化硅层作为所述保护层。

9.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

沟槽结构，所述沟槽结构位于所述衬底内；

第一介质层，所述第一介质层覆盖所述沟槽结构的底部及部分侧壁，且所述第一介质层的顶面低于所述沟槽结构的顶面；

保护层，所述保护层位于所述沟槽结构内，且至少覆盖所述第一介质层的表面及所述沟槽结构的部分侧壁。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于：

所述衬底包括阵列区及位于所述阵列区外围的外围区；

所述沟槽结构包括第一沟槽结构、第二沟槽结构、第三沟槽结构及第四沟槽结构；

所述第一沟槽结构及所述第二沟槽结构均位于所述阵列区内；

所述第三沟槽结构及所述第四沟槽结构均位于所述外围区内。