[发明专利]一种柔性Micro LED基板结构及其制备方法

权利要求书

1.一种柔性微发光二极管Micro LED基板结构，其特征在于，所述柔性Micro LED基板结构包括：

衬底基板；

导电金属层，固定在所述衬底基板上，并覆盖部分所述衬底基板，所述导电金属层的面积小于所述衬底基板的面积；

平坦化层，覆盖剩余部分所述衬底基板，且厚度大于所述导电金属层的厚度，用于填平所述导电金属层；所述平坦化层对应所述导电金属层处开设有通孔；

绝缘层，设置在所述平坦化层上，所述绝缘层对应所述通孔处开设有过孔；

键合金属层，穿过所述过孔以及所述通孔与所述导电金属层连接，并覆盖部分所述绝缘层；

发光二极管LED芯片，设置在所述键合金属层上，并与所述键合金属层连接。

2.根据权利要求1所述的柔性Micro LED基板结构，其特征在于，所述柔性Micro LED基板结构还包括：

钝化层，设置在所述绝缘层上，并覆盖部分所述键合金属层。

3.根据权利要求2所述的柔性Micro LED基板结构，其特征在于，所述柔性Micro LED基板结构还包括：

反射层，设置在所述钝化层上，并围绕所述发光二极管LED芯片的四周。

4.根据权利要求1所述的柔性Micro LED基板结构，其特征在于，所述导电金属层的材料为铜。

5.根据权利要求1所述的柔性Micro LED基板结构，其特征在于，所述平坦化层的材料为聚酰亚胺。

6.一种柔性Micro LED基板结构的制备方法，其特征在于，所述柔性Micro LED基板结构的制备方法包括：

在衬底基板上形成导电金属层；

通过旋涂工艺在导电金属层上形成平坦化层；

在平坦化层上沉积绝缘层；

在平坦化层上对应导电金属层处开设通孔，在绝缘层上对应通孔处开设过孔，暴露出导电金属层；

在绝缘层上形成键合金属层，穿过过孔以及通孔与导电金属层连接；

将LED芯片与键合金属层键合；

通过激光剥离的方式将衬底基板剥离。

7.根据权利要求6所述的柔性Micro LED基板结构的制备方法，其特征在于，所述柔性Micro LED基板结构的制备方法还包括：

通过构图工艺在键合金属层上沉积钝化层，暴露出需与芯片电极键合的键合金属层，其余键合金属层被钝化层覆盖；

通过丝网印刷、薄膜沉积或者喷墨打印在钝化层上形成反射层。

8.根据权利要求6所述的柔性Micro LED基板结构的制备方法，其特征在于，所述在平坦化层上对应导电金属层处开设通孔，在绝缘层上对应通孔处开设过孔，暴露出导电金属层，具体包括：

在所述绝缘层和所述平坦化层上形成光刻胶图形；

对所述绝缘层和所述平坦化层进行光刻，通过干法刻蚀或湿法腐蚀去除所述部分绝缘层；

通过激光刻蚀去除部分所述平坦化层；

形成面积小于或等于导电金属层面积的通孔，最后去除光刻胶。

9.根据权利要求6所述的柔性Micro LED基板结构的制备方法，其特征在于，所述在绝缘层上形成键合金属层，穿过过孔以及通孔与导电金属层连接，具体包括：

在所述绝缘层上形成负性光刻胶图形；

沉积种子层；

通过电镀或者化学镀膜工艺将键合金属层与导电金属层连接；

采用蓝膜将光刻胶上的金属剥离，去除光刻胶。

10.根据权利要求6所述的柔性Micro LED基板结构的制备方法，其特征在于，所述在绝缘层上形成键合金属层，穿过过孔以及通孔与导电金属层连接，具体包括：

在所述绝缘层上沉积种子层；

通过电镀或者化学镀膜工艺将键合金属层与导电金属层连接；

在键合金属层上形成光刻胶图形；

对所述键合金属层进行光刻，通过干法刻蚀或者湿法腐蚀的方式将多余金属去除，最后去除光刻胶。