[发明专利]一种致密Sb2

权利要求书

1.一种致密Sb₂S₃薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)、室温下将醋酸锑粉末溶于N,N-二甲基甲酰胺和醋酸的混合溶液中，搅拌10-30min后，得到浓度为0.8-1.2M的醋酸锑溶液，再在醋酸锑溶液中加入硫脲，搅拌10-30min后，得到Sb₂S₃反应物前驱体溶液；

(2)、将步骤(1)所得Sb₂S₃反应物前驱体溶液在目标基底上进行旋涂，得到Sb₂S₃反应物前驱体薄膜；然后，在N₂保护下将Sb₂S₃反应物前驱体薄膜于250-380℃下退火5-15分钟，得到致密Sb₂S₃薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种致密Sb₂S₃薄膜的制备方法，其特征在于：所得致密Sb₂S₃薄膜的厚度，可由步骤(1)中Sb₂S₃反应物前驱体溶液的浓度和/或步骤(2)中的重复旋涂次数控制。

3.根据权利要求1或2所述的一种致密Sb₂S₃薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(1)所述N,N-二甲基甲酰胺和醋酸的混合溶液中，N,N-二甲基甲酰胺与醋酸的体积比为4:1。

4.根据权利要求1或2所述的一种致密Sb₂S₃薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，醋酸锑与硫脲的摩尔比为1:1.8。

5.根据权利要求1或2所述的一种致密Sb₂S₃薄膜的制备方法，其特征在于：所述目标基底为沉积有TiO₂薄膜的FTO导电玻璃。

6.一种基于致密Sb₂S₃薄膜的太阳电池，其特征在于：包括玻璃衬底、沉积于玻璃衬底上的光阳极层、沉积于光阳极层上的电子传输层、生长于电子传输层上的致密Sb₂S₃薄膜、沉积于致密Sb₂S₃薄膜上的空穴传输层、以及沉积于空穴传输层上的电池阴极层。

7.根据权利要求6所述的一种基于致密Sb₂S₃薄膜的太阳电池，其特征在于：所述致密Sb₂S₃薄膜按照权利要求1～5中任意一项所述的制备方法制得。

8.根据权利要求6所述的一种基于致密Sb₂S₃薄膜的太阳电池，其特征在于：所述的光阳极层为FTO层；所述的电子传输层为TiO₂薄膜；所述的空穴传输层为Spiro-OMeTAD薄膜；所述的电池阴极层为Au薄膜。

9.根据权利要求8所述的一种基于致密Sb₂S₃薄膜的太阳电池，其特征在于：所述FTO层的厚度为300-400nm；所述TiO₂薄膜的厚度为40-90nm；所述致密Sb₂S₃薄膜的厚度为80-120nm；所述Spiro-OMeTAD薄膜的厚度为40-90nm，所述Au薄膜的厚度为60-100nm。