[发明专利]显示基板、显示装置及掩膜版在审
申请号: | 202110069920.9 | 申请日: | 2021-01-19 |
公开(公告)号: | CN112885976A | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 景姝 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32;C23C14/04;C23C14/08;C23C14/12;C23C16/04;C23C16/40 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 刘源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 显示装置 掩膜版 | ||
1.一种显示基板,其中,包括:
衬底基板,所述衬底基板包括多个子像素区,所述子像素区包括开口区和非开口区;
多个发光器件,位于所述衬底基板之上;所述发光器件包括层叠设置的第一电极、发光层和第二电极;其中,每个所述发光器件的所述第一电极和所述发光层对应设置在一个所述开口区,全部所述发光器件的所述第二电极构成一体化的面状电极;
第一取光层,位于所述发光层与所述第二电极之间;所述第一取光层设置于至少部分所述非开口区内;所述第一取光层的折射率大于所述第二电极的折射率;
第二取光层,位于所述第二电极背离所述第一取光层的一侧;所述第二取光层在所述衬底基板上的正投影完全覆盖所述第一取光层在所述衬底基板上的正投影,且所述第二取光层的折射率大于所述第二电极的折射率。
2.如权利要求1所述的显示基板,其中,所述第二取光层整面设置在所述第二电极之上。
3.如权利要求1所述的显示基板,其中,所述第一取光层的折射率和所述第二取光层的折射率分别为1.8-2.5,所述第二电极的折射率为1.4-1.6。
4.如权利要求1所述的显示基板,其中,在垂直于所述衬底基板的方向上,所述第一取光层的厚度、所述第二取光层的厚度分别大于所述第二电极的厚度。
5.如权利要求4所述的显示基板,其中,所述第一取光层的厚度与所述第二取光层的厚度相等。
6.如权利要求5所述的显示基板,其中,所述第一取光层的厚度与所述第二取光层的厚度为12nm-60nm,所述第二电极的厚度为10nm-14nm。
7.如权利要求1所述的显示基板,其中,所述多个子像素区包括第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区;其中,
所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区分别具有一个所述开口区;所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区为正六边形;
所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区构成重复单元,在行方向上循环排列;
奇数行的各所述子像素区在列方向上对齐排列,偶数行的各所述子像素区在列方向上对齐排列,且奇数行的各所述子像素区与偶数行的各所述子像素区沿行方向错开半个所述子像素区的距离;
所述第一取光层设置于相邻两行的三个所述子像素区中搭接的所述非开口区。
8.如权利要求7所述的显示基板,其中,三个所述子像素区包括:相邻两行所述子像素区中,前一行的相邻两个所述子像素区和后一行的一个所述子像素区。
9.如权利要求7所述的显示基板,其中,三个所述子像素区包括:相邻两行所述子像素区中,前一行的相邻两个所述子像素区和后一行的一个所述子像素区;以及相邻两行所述子像素区中,后一行的相邻两个所述子像素区和前一行的一个所述子像素区;
所述第一取光层包括第一部分和第二部分;其中,所述第一部分设置于前一行相邻两个所述子像素区、及后一行一个所述子像素区;所述第二部分设置于后一行相邻两个所述子像素区、及前一行一个所述子像素区。
10.如权利要求1所述的显示基板,其中,所述多个子像素区包括第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区;其中,
所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区分别具有一个所述开口区;所述第一子像素区和所述第二子像素区分别为正方形,所述第三子像素区为长方形;
所述第一子像素区和所述第二子像素区在列方向上交替设置,所述第三子像素区所在列与所述第一子像素区、所述第二子像素区所在列在行方向上交替设置,且一个所述第三子像素区与一列中的两个所述第一子像素区、及两个所述第二子像素区接触设置;
所述第一取光层设置于每两列所述第三子像素区所含所述开口区之间在行方向上的所述非开口区。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110069920.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择