[发明专利]一种半导体锗单晶棒与晶托粘接固定装置及粘结固定方法在审
申请号: | 202110093381.2 | 申请日: | 2021-01-25 |
公开(公告)号: | CN112768400A | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 张国辉;柯尊斌;王卿伟 | 申请(专利权)人: | 中锗科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687 |
代理公司: | 南京中律知识产权代理事务所(普通合伙) 32341 | 代理人: | 李建芳 |
地址: | 211299 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 锗单晶棒 晶托粘接 固定 装置 粘结 方法 | ||
1.一种半导体锗单晶棒与晶托粘接固定装置,其特征在于:包括底板、支架和加压装置;支架包括横梁,横梁底部长度方向的两端设有相对设置的两条支撑腿;底板位于两条支撑腿之间的底部;加压装置包括丝杆、定位销、轴承和压块;横梁上设有螺纹孔,丝杆螺纹连接在螺纹孔上,丝杆的顶部从横梁顶部穿出、底部从横梁底部穿出,压块通过轴承连接在丝杆底部,压块位于底板上方、横梁的下方;压块底部设有开口向下的V型通槽;压块的顶部设有两根竖直、且相对设置的定位销,两根定位销分别位于丝杆的两侧;横梁上设有与两根定位销相对应的两个导向孔,两根定位销的顶部分别从横梁上对应的导向孔中穿出。
2.如权利要求1所述的半导体锗单晶棒与晶托粘接固定装置,其特征在于:V型通槽的顶角为85~95°。
3.如权利要求1或2所述的半导体锗单晶棒与晶托粘接固定装置,其特征在于:定位销螺纹连接在压块上。
4.如权利要求1或2所述的半导体锗单晶棒与晶托粘接固定装置,其特征在于:丝杆顶部设有旋转把手。
5.如权利要求1或2所述的半导体锗单晶棒与晶托粘接固定装置,其特征在于:底板和压块所用材质均为铝合金。
6.如权利要求1或2所述的半导体锗单晶棒与晶托粘接固定装置,其特征在于:支架、丝杆和定位销所用材质均为不锈钢。
7.如权利要求1或2所述的半导体锗单晶棒与晶托粘接固定装置,其特征在于:底板长度方向上设有两套相对设置的加压装置。
8.如权利要求1或2所述的半导体锗单晶棒与晶托粘接固定装置,其特征在于:螺纹孔设在横梁上长度方向的中央位置。
9.一种半导体锗单晶棒与晶托粘接固定方法,利用权利要求1-8任意一项所述的半导体锗单晶棒与晶托粘接固定装置完成,其特征在于:包括如下步骤:
1)逆时针旋转丝杆将压块升至方便操作的高度;
2)将晶托放到底板上、且置于V型通槽的正下方,V型通槽的轴向与晶托的长度方向一致,在需要粘接的晶棒粘接面涂上粘接剂放到晶托之上,晶棒的长度方向与晶托的长度方向一致,晶棒位于V型通槽的正下方;
3)顺时针旋转丝杆,带动压块下降压住晶棒,固定好位置后,清理挤压溢出的残胶,然后待胶水固化后取下晶棒即可。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造