[发明专利]体声波谐振器及制造体声波谐振器的方法

说明书

本公开提供一种体声波谐振器及制造体声波谐振器的方法，所述体声波谐振器包括：谐振器，包括顺序地堆叠在基板上的第一电极、压电层和第二电极；以及插入层，设置在所述压电层下方，且被构造为以部分地升高所述压电层和所述第二电极，其中，所述插入层可利用包含硅(S)、氧(O)和氮(N)的材料形成。

本申请要求于2020年5月13日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0057211号韩国专利申请和于2020年7月20日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0089825号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。

技术领域

以下描述涉及一种体声波谐振器和制造体声波谐振器的方法。

背景技术

根据无线通信装置小型化的趋势，高频组件技术的小型化是非常需要的。例如，可实现使用半导体薄膜晶圆制造技术的体声波(BAW)型滤波器。

体声波滤波器(BAW)是薄膜型元件，该薄膜型元件通过在硅晶圆(半导体基板)上沉积压电介电材料而引起谐振，并且可利用该薄膜型元件的压电性质而将BAW用作滤波器。

近来，对5G通信的技术兴趣正在增加，并且正在积极进行可在候选频带中实现的技术的开发。

然而，在实现Sub 6GHz(4GHz至6GHz)频带的5G通信的情况下，由于带宽增加并且通信距离缩短，因此可增加体声波谐振器的信号的强度或功率。另外，随着频率增加，可能增加在压电层或谐振器中发生的损耗。

因此，使谐振器中的能量泄漏最小化的体声波谐振器可以是有益的。

发明内容

提供本发明内容以按照简化的形式对所选择的构思进行介绍，并且在下面的具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容既不意在限定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。

在一个总的方面，一种体声波谐振器包括：谐振器，包括顺序地堆叠在基板上的第一电极、压电层和第二电极；以及插入层，设置在所述压电层下方，且被构造为部分地升高所述压电层和所述第二电极，其中，所述插入层利用包含硅(Si)、氧(O)和氮(N)的材料形成。

包含在所述插入层中的氮(N)的at％含量可以是整个所述插入层的硅、氧和氮的总at％含量的0.86％或更高，并且低于氧(O)的at％含量。

所述压电层可利用氮化铝(AlN)和掺杂钪(Sc)的氮化铝中的一种形成。

所述第一电极可利用钼(Mo)形成。

所述插入层可利用具有低于所述第一电极和所述压电层的声阻抗的声阻抗的材料形成。

所述谐振器可包括设置在中央区域中的中央部和设置在所述中央部的外围处的延伸部，所述插入层可设置在所述谐振器的所述延伸部中，所述插入层可具有倾斜表面，所述倾斜表面的厚度随着距所述中央部的距离增加而增加，并且所述压电层包括设置在所述插入层的所述倾斜表面上的倾斜部。

在切割穿过所述谐振器的截面中，所述第二电极的端部可设置在所述中央部和所述延伸部之间的边界处，或者设置在所述倾斜部上。

所述压电层可包括设置在所述中央部中的压电部，以及从所述倾斜部向外延伸的延伸部，并且所述第二电极的至少一部分可设置在所述压电层的所述延伸部上。

在一个总的方面，一种制造体声波谐振器的方法，所述方法包括：形成谐振器，在所述谐振器中，第一电极、压电层和第二电极顺序地堆叠，其中，所述谐振器的形成包括：在所述第一电极下方形成插入层，或者，在所述第一电极与所述压电层之间形成插入层以部分地升高所述压电层和所述第二电极，并且其中，所述插入层利用包含硅(Si)、氧(O)和氮(N)的材料形成。