[发明专利]半导体装置和半导体存储器装置在审
申请号: | 202110116563.7 | 申请日: | 2021-01-28 |
公开(公告)号: | CN113744772A | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
发明(设计)人: | 金载仁;李炫哲 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C5/14 | 分类号: | G11C5/14;G11C16/22;G11C16/30 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 存储器 | ||
1.一种半导体装置,该半导体装置包括:
突然电力检测电路,该突然电力检测电路被配置为在突然断电状态下生成具有与外部电源电压的电压电平对应的电压电平的断电控制信号;以及
操作电路,该操作电路被配置为在所述断电控制信号的启用时段期间对特定节点进行放电。
2.一种半导体装置,该半导体装置包括:
电压检测电路,该电压检测电路被配置为通过检测外部电源电压的电压电平来启用断电控制信号;
内部电压发生电路,该内部电压发生电路被配置为接收所述外部电源电压,通过将所述外部电源电压与预设基准电压进行比较来生成内部电源电压,并且在所述断电控制信号的启用时段期间驱动所述内部电源电压作为所述外部电源电压;以及
控制信号发生电路,该控制信号发生电路被配置为生成具有与所述内部电源电压的电压电平对应的电压电平的控制信号并且被配置为控制所述电压检测电路的电路操作。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,该半导体装置还包括被配置为生成所述基准电压的基准电压发生电路,
其中,是否启用所述基准电压发生电路的电压生成操作是基于所述控制信号的。
4.根据权利要求2所述的半导体装置,其中,所述电压检测电路包括:
分布电路,该分布电路被配置为通过对所述外部电源电压的所述电压电平进行分压来生成分布电压;
比较电路,该比较电路被配置为通过将所述分布电压与所述基准电压进行比较来生成所述断电控制信号;以及
启用电路,该启用电路被配置为基于所述控制信号来控制所述比较电路的启用操作。
5.根据权利要求2所述的半导体装置,其中,所述内部电压发生电路包括:
比较电路,该比较电路被配置为通过将与所述内部电源电压对应的反馈电压与所述基准电压进行比较来生成控制电压;
驱动电路,该驱动电路被配置为基于所述控制电压来驱动所述内部电源电压作为所述外部电源电压;
反馈电路,该反馈电路被配置为通过对所述内部电源电压进行分压来生成所述反馈电压;
控制电路,该控制电路被配置为基于所述断电控制信号来控制所述控制电压;以及
启用电路,该启用电路被配置为基于所述控制信号来控制所述比较电路的启用操作。
6.根据权利要求2所述的半导体装置,该半导体装置还包括操作电路,该操作电路被配置为在所述断电控制信号的所述启用时段期间对特定节点进行放电。
7.一种半导体存储器装置,该半导体存储器装置包括:
突然电力检测电路,该突然电力检测电路被配置为在突然断电状态下生成具有与外部电源电压的电压电平对应的电压电平的断电控制信号;
存储器单元阵列,该存储器单元阵列被配置为存储数据,并且该存储器单元阵列包括连接在位线和源极线之间并且具有联接到字线的栅极的存储器单元;以及
放电驱动电路,该放电驱动电路被配置为在所述断电控制信号的启用时段期间对所述位线、所述源极线和所述字线中的至少一个进行放电。
8.根据权利要求7所述的半导体存储器装置,其中,所述突然电力检测电路包括:
电压检测电路,该电压检测电路被配置为通过检测所述外部电源电压的所述电压电平来启用所述断电控制信号;
内部电压发生电路,该内部电压发生电路被配置为接收所述外部电源电压,通过将所述外部电源电压与预设基准电压进行比较来生成内部电源电压,并且在所述断电控制信号的所述启用时段期间驱动所述内部电源电压作为所述外部电源电压;以及
控制信号发生电路,该控制信号发生电路被配置为生成具有与所述内部电源电压的电压电平对应的电压电平的控制信号并且被配置为控制所述电压检测电路的电路操作。
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