[发明专利]半导体装置和半导体存储器装置

说明书

本申请公开了半导体装置和半导体存储器装置。一种半导体装置可包括突然电力检测电路和操作电路。突然电力检测电路可在突然断电状态下生成断电控制信号。操作电路可基于断电控制信号对特定节点进行放电。

技术领域

示例性实施方式涉及半导体装置和半导体存储器装置，具体地，涉及一种使用基于外部电源电压生成的内部电源电压来操作的半导体装置和半导体存储器装置。

背景技术

通常，半导体装置使用基于外部电源电压生成的内部电源电压来执行电路操作。同样，易失性存储器装置和非易失性存储器装置(即，半导体存储器装置)也使用基于外部电源电压生成的内部电源电压来执行电路操作。

易失性存储器装置的优点在于数据处理速度高(是将外部数据存储在其中或将内部数据输出到外部装置的速度)。此外，易失性存储器装置的缺点在于，在处理数据时继续向其供应外部电源电压。相反，非易失性存储器装置的缺点在于其数据处理速度低。此外，非易失性存储器装置的优点在于，即使不供应外部电源电压，其也保持已经存储在其中的数据。

在这种情况下，非易失性存储器装置执行编程操作以便将数据存储在存储器单元中，并且执行读操作以便输出存储在存储器单元中的数据。此外，非易失性存储器装置在编程操作之前执行擦除操作以便擦除存储在存储器单元中的数据。如上所述，即使未供应外部电源电压，非易失性存储器装置也保持已经存储在其中的数据。然而，如果在编程操作、读操作或擦除操作期间没有平稳地供应外部电源，则存储在存储器单元中的数据可能损坏。

更具体地，在非易失性存储器装置中，在编程操作、读操作或擦除操作期间，高电压可被施加到字线、位线或源极线。因此，如果在编程操作、读操作或擦除操作期间没有平稳地供应外部电源电压，则施加到对应线的高电压的电压电平可能非情愿地降低。在这种情况下，存储在联接到对应线的存储器单元中的数据的分布受到非情愿地降低的电压电平影响。存储器单元的数据分布的改变意味着无法保证存储在存储器单元中的数据的可靠性。

以下，为了描述方便，没有平稳地供应外部电源电压的状态(即，外部电源电压的电压电平降低至预设电压电平或更低的状态)被称为“突然断电状态”。

发明内容

在实施方式中，一种半导体装置可包括：突然电力检测电路(sudden powerdetection circuit)，其被配置为在突然断电状态下生成具有与外部电源电压的电压电平对应的电压电平的断电控制信号；以及操作电路，其被配置为在断电控制信号的启用时段期间对特定节点进行放电。

在实施方式中，一种半导体装置可包括：电压检测电路，其被配置为通过检测外部电源电压的电压电平来启用断电控制信号；内部电压发生电路，其被配置为接收外部电源电压，通过将外部电源电压与预设基准电压进行比较来生成内部电源电压，并且在断电控制信号的启用时段期间驱动内部电源电压作为外部电源电压；以及控制信号发生电路，其被配置为生成具有与内部电源电压的电压电平对应的电压电平的控制信号并且被配置为控制电压检测电路的电路操作。

在实施方式中，一种半导体存储器装置可包括：突然电力检测电路，其被配置为在突然断电状态下生成具有与外部电源电压的电压电平对应的电压电平的断电控制信号；存储器单元阵列，其被配置为存储数据，并且该存储器单元阵列包括连接在位线和源极线之间并且具有联接到字线的栅极的存储器单元；以及放电驱动电路，其被配置为在断电控制信号的启用时段期间对位线、源极线和字线中的至少一个进行放电。

附图说明

图1是示出根据实施方式的半导体装置的配置的框图。

图2是示出根据实施方式的半导体装置的配置的框图。

图3是示出图2的电压检测电路的配置的图。

图4是示出图2的内部电压发生电路的配置的图。

图5是示出根据实施方式的半导体存储器装置的配置的框图。