[发明专利]一种用高温氮气保护推板窑生产高纯氮化硅粉的工艺方法在审
| 申请号： | 202110124459.2 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN113415790A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 林敦莺;林洁静 | 申请（专利权）人： | 福建新航凯材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068 |
| 代理公司： | 福州顺升知识产权代理事务所(普通合伙) 35242 | 代理人： | 郑耀敏 |
| 地址： | 353300 福建省三明*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高温 氮气 保护 推板窑 生产 高纯 氮化 工艺 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用高温氮气保护推板窑生产高纯氮化硅粉的工艺方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤一：原料准备：将高纯硅粉研磨至200目以上；
步骤二：造粒：将高纯硅粉与粘结剂混合搅拌后通过成型机进行成型造粒；
步骤三：将成型的高纯硅粒放入坩埚中送入推板窑进行连续生产；高纯硅粒先经过预热区预热，再缓慢经过进入氮化区，压缩氮气通过从降温区往预热区逆向进入，可以进行充分渗氮，最后烧结后的产品进入冷却区；
步骤四：磨粉：将合格的氮化硅产品研磨成高纯氮化硅粉。
2.根据权利要求1所述的一种用高温氮气保护推板窑生产高纯氮化硅粉的工艺方法，其特征在于：步骤一中，高纯硅粉纯度99.9％以上。
3.根据权利要求1所述的一种用高温氮气保护推板窑生产高纯氮化硅粉的工艺方法，其特征在于：步骤三中，推板窑氮化区温度为1100-1400℃，高纯硅粒通过氮化区时间为16-24h。
4.根据权利要求1所述的一种用高温氮气保护推板窑生产高纯氮化硅粉的工艺方法，其特征在于：步骤三中，氮气纯度99.99％以上。
5.根据权利要求1所述的一种用高温氮气保护推板窑生产高纯氮化硅粉的工艺方法，其特征在于：步骤三中，坩埚为氮化硅坩埚。
6.根据权利要求1所述的一种用高温氮气保护推板窑生产高纯氮化硅粉的工艺方法，其特征在于：步骤四中采用氮化硅球进行研磨。
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