[发明专利]光掩膜盒及识别光掩膜盒的方法在审
申请号: | 202110125586.4 | 申请日: | 2021-01-29 |
公开(公告)号: | CN113671805A | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 邱铭乾;庄家和;温星闵;李怡萱;薛新民 | 申请(专利权)人: | 家登精密工业股份有限公司 |
主分类号: | G03F9/00 | 分类号: | G03F9/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 薛平;周晓飞 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光掩膜盒 识别 方法 | ||
1.一种光掩膜盒,包含一基座及与该基座结合的一盒盖,其特征在于:该基座的一底面具有至少一第一标记及至少一第二标记,该第一标记具有相对于一光源的一第一反射率,该第二标记具有相对于该光源的一第二反射率,该第一反射率和该第二反射率不相同。
2.如权利要求1所述的光掩膜盒,其特征在于,该至少一第一标记位于该底面的一中心轴上,且该第二标记位于该中心轴的两侧的其中一侧。
3.如权利要求2所述的光掩膜盒,其特征在于,该底面具有与该中心轴垂直的一横轴,该横轴将该底面划分成一第一区域和一第二区域,该至少一第一标记位于该中心轴与该横轴交点上,且该第二标记位于该第二区域。
4.如权利要求3所述的光掩膜盒,其特征在于,该第一标记为圆形标记,该第二标记为圆形标记,且该第一标记的直径大于该第二标记的直径。
5.如权利要求4所述的光掩膜盒,其特征在于,该第二标记的圆心与该中心轴定义一横向偏移距离,该第二标记的圆心与该横轴定义一纵向偏移距离,且该横向偏移距离小于该纵向偏移距离。
6.如权利要求5所述的光掩膜盒,其特征在于,该横向偏移距离为18毫米,该纵向偏移距离为58毫米。
7.如权利要求1所述的光掩膜盒,其特征在于,该光源为具有特定波长的激光光束。
8.如权利要求1所述的光掩膜盒,其特征在于,该至少一第一标记具有一第一表面粗糙度,该至少一第二标记具有一第二表面粗糙度,该第一表面粗糙度不同于该第二表面粗糙度,且该第一表面粗糙度和该第二表面粗糙度均不同于该底面其他区域的表面粗糙度。
9.一种识别光掩膜盒的方法,其特征在于,所述光掩膜盒具有一基座,该基座的一底面具有至少一第一标记及至少一第二标记,该第一标记具有相对于一光源的一第一反射率,该第二标记具有相对于该光源的一第二反射率,该第一反射率和该第二反射率不相同,该方法包含:
将所述光掩膜盒放置于提供有探测光源的一工艺机台;
将探测光源分别打在该至少一第一标记和该至少一第二标记上;及
读取来自该至少一第一标记的一第一反射光和该至少一第二标记的一第二反射光,以关联出至少一第一信息及至少一第二信息,其中该至少一第一信息指示该光掩膜盒的放置是否正确,该至少一第二信息指示该光掩膜盒的一识别。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述探测光源为特定波长的激光光束。
11.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述读取来自该至少一第一标记的至少一第一反射光和该至少一第二标记的至少一第二反射光,包含读取该至少第一反射光所对应的至少一第一电压值和该至少一第二反射光对应的至少一第二电压值,且该至少一第一电压值不同于该至少一第二电压值。
12.如权利要求9所述的方法,其特征在于,该至少一第一电压值介于4.8至5.2伏特,该至少一第二电压值低于4伏特。
13.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述识别包含该光掩膜盒或光掩膜的型号或版本。
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