[发明专利]光掩膜盒及识别光掩膜盒的方法在审

专利信息
申请号: 202110125586.4 申请日: 2021-01-29
公开(公告)号: CN113671805A 公开(公告)日: 2021-11-19
发明(设计)人: 邱铭乾;庄家和;温星闵;李怡萱;薛新民 申请(专利权)人: 家登精密工业股份有限公司
主分类号: G03F9/00 分类号: G03F9/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 薛平;周晓飞
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 光掩膜盒 识别 方法
【说明书】:

本发明揭露一种光掩膜盒及识别光掩膜盒的方法,该光掩膜盒包含一基座及与该基座结合的一盒盖。该基座的一底面具有至少一第一标记及至少一第二标记,该第一标记具有相对于一光源的一第一反射率,该第二标记具有相对于该光源的一第二反射率,该第一反射率和该第二反射率不相同,且该第一反射率和该第二反射率不同于该底面其他区域的反射率。本发明可使得原本就提供有激光探测机制的工艺机台能够进一步识别光掩膜盒的相关信息,增进工艺的数据管理。

技术领域

本发明是关于一种光掩膜盒,尤其是关于一种光掩膜盒,其周围提供有光学识别标记,以及识别光掩膜盒上标记的方法。

背景技术

以开启机制而言,光掩膜盒大致上可分为前开式光掩膜盒或是上开式光掩膜盒。然而,无论是哪一种类型的开启方式,光掩膜盒放置于工艺设备的机台中(如光刻工艺机台)时,光掩膜盒于机台中的摆放方向必须正确并且精准,以确保光掩膜盒在机台中可顺利被打开,光掩膜亦不会偏离工艺的路径及位置。

已知专利公告第TWM496146号揭露一种具有标记的极紫外光光掩膜盒,其包含一盒体及提供于盒体上的至少一标记,且所述标记是以激光雕刻所形成的标记。该标记对于一激光光束而言具有一反射率。据此,一工艺机台可搭载有一激光探测机制,来识别光掩膜盒相对于该机台的方位。具体而言,机台可将一探测激光光束打在所述标记上,并接收来自标记所反射的激光光束,以确认光掩膜盒是否位于机台中的要求位置。

有鉴于已知或未来的半导体工艺机台搭载了激光探测或光学探测,有必要发展可提供光学识别标记的光掩膜盒,以满足或创造工艺中的各种需求。

发明内容

本发明目的在于提供一种光掩膜盒,包含一基座及与该基座结合的一盒盖。该基座的一底面具有至少一第一标记及至少一第二标记,该第一标记具有相对于一光源的一第一反射率,该第二标记具有相对于该光源的一第二反射率,该第一反射率和该第二反射率不相同,且该第一反射率和该第二反射率不同于该底面其他区域的反射率。

在一具体实施例中,该基座的底面具有三个第一标记,该等第一标记的其中一个位于该底面的一中心轴上,而另两个第一标记分别位于该中心轴的两侧,该基座的底面具有一第二标记,该第二标记位于该中心轴的两侧的其中一侧。

在一具体实施例中,该底面具有与该中心轴垂直的一横轴,该横轴该底面划分成一第一区域和一第二区域,且除了位于该中心轴与该横轴交点上的第一标记,另两个第一标记位于该第一区域,而该第二标记位于该第二区域。

在一具体实施例中,该等第一标记为圆形标记,该第二标记为圆形标记,该等第一标记的直径大于该第二标记的直径。

在一具体实施例中,该第二标记的圆心与该中心轴定义一横向偏移距离,该第二标记的圆心与该横轴定义一纵向偏移距离,且该横向偏移距离小于该纵向偏移距离。

在一具体实施例中,该横向偏移距离为18毫米,该纵向偏移距离为58毫米。

在一具体实施例中,该光源为具有特定波长的激光光束。

在一具体实施例中,该至少一第一标记具有一第一表面粗糙度,该至少一第二标记具有一第二表面粗糙度,该第一表面粗糙度不同于该第二表面粗糙度,且该第一表面粗糙度和该第二表面粗糙度均不同于该底面其他区域的表面粗糙度。

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