[发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种异质结太阳能电池制备的方法，其特征在于，所述方法包括：

对硅片进行预设时间的清洗处理；

采用丝网印刷工艺在清洗后的所述硅片表面印刷光刻胶，所述光刻胶的图形与预设栅线图案相同；

将带有所述光刻胶的所述硅片进行制绒；

去除所述硅片上的所述光刻胶，并进行清洗；

在所述硅片上形成非晶硅薄膜；

在所述非晶硅薄膜上形成透明导电薄膜；

在所述透明导电薄膜上形成所述预设图案的栅线。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对硅片进行预设时间的清洗处理的步骤中，包括：

采用超声波清洗工艺对所述硅片进行清洗，清洗溶液包括丙酮，清洗时长为4-6分钟。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将带有所述光刻胶的所述硅片进行制绒的步骤中，包括：

将带有所述光刻胶的所述硅片放入制绒槽进行制绒，制绒的溶液包括氢氧化钠溶液和制绒添加剂的混合液，制绒温度为60℃-80℃，制绒时长为10-20分钟。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述硅片上形成非晶硅薄膜的步骤中，包括：

在所述硅片的正面，采用化学气相沉积法沉积本征非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜；

以及，在所述硅片的背面，采用化学气相沉积法沉积本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述非晶硅薄膜上形成透明导电薄膜的步骤中，包括：

将所述硅片放入磁控溅射腔体，在正面、背面的所述非晶硅薄膜的分别各沉积一层透明导电薄膜。

6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，在去除所述硅片上的所述光刻胶并进行清洗之后，在所述非晶硅薄膜上形成本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜之前，还包括：

对所述硅片进行烘干处理，烘干温度为115℃-125℃，烘干时长为0.1-1小时。

7.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，在所述透明导电薄膜上形成所述预设图案的栅线的步骤之后，还包括：

对所述硅片进行固化和退火工艺处理，处理温度为180℃-260℃，处理时间为15-30分钟。

8.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述栅线的制成材料包括银浆，或是铜丝包银浆。

9.一种异质结太阳能电池，包括硅片以及设置于所述硅片两侧的非晶硅薄膜、透明导电薄膜和栅线，其特征在于，所述硅片的表面在对应着所述栅线所在的区域为非绒面，其余区域为绒面。

10.根据权利要求9所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述非晶硅薄膜包括：

位于所述硅片的正面的本征非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜；

以及，位于所述硅片的背面的本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜。