[发明专利]一种CT用全帧CCD探测器感兴趣区域读取及拖影校正方法有效

专利信息
申请号: 202110138069.0 申请日: 2021-02-01
公开(公告)号: CN112911088B 公开(公告)日: 2022-08-12
发明(设计)人: 安康;吴石琳;李汶芳;段晓礁 申请(专利权)人: 重庆大学
主分类号: H04N5/217 分类号: H04N5/217;G01N23/046
代理公司: 重庆市嘉允启行专利代理事务所(普通合伙) 50243 代理人: 胡柯
地址: 400044 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 一种 ct 用全帧 ccd 探测器 感兴趣 区域 读取 校正 方法
【说明书】:

发明提供一种CT用全帧CCD探测器感兴趣区域读取及拖影校正方法,步骤如下:1)对被检测工件进行DR扫描,得到DR图像;2)判断感兴趣区域投影行数,若感兴趣区域投影行数大于等于CCD感光区域行数的1/2,则转至3),若小于1/2,则转至4);3)利用射线屏蔽块遮挡小部分CCD感光区域,重新调节被检测工件感兴趣区域位置,对被检测工件进行DR曝光,读取除上端冗余数据区域外的其他数据,进行拖影校正;4)利用射线屏蔽块遮挡一半的CCD感光区域,重新调节被检测工件感兴趣区域位置,对被检测工件进行DR曝光,读取除上、下端冗余数据区域外的其他数据,进行拖影校正;本发明减少探测器冗余数据读取,实现拖影快速校正,缩短扫描时间,提高CT检测效率。

技术领域

本发明涉及辐射探测技术领域,特别是一种CT用全帧CCD探测器感兴趣区域读取及拖影校正方法。

背景技术

X射线面阵探测器是微米/纳米焦点X射线计算机层析成像(微纳CT)系统的重要组成部分,其图像信噪比与数据读出速度直接影响重建CT图像质量与检测效率。在高精度扫描应用中,高分辨CCD/CMOS X射线探测器得到广泛的应用,其有效像元小的优点有助于减小微纳CT系统体积。

科学级全帧CCD(Full-Frame CCD)是高分辨CCD/CMOS X射线探测器主要应用的图像传感器之一,其特点是具有很高的信噪比与全幅面感光(所有像元都作为感光区域)。在像素读出过程中,如果传感器仍在接收光信号,将会影响成像,表现为图像上的拖影。由于无法在电子上限制这种现象的发生,一般会采用机械快门的方式,来隔离图像读出过程中的光信号接收,以有效抑制图像拖影的产生。在CT扫描应用中,目前的微米/纳米焦点X射线源通常是持续曝光方式,即射线源开启后至CT扫描完成射线源关闭之前,射线源辐射一直存在。由于X射线的强穿透能力,常规的机械快门无法隔离射线辐射,因此,全帧CCD X射线探测器通常是根据拖影产生机理应用算法在图像上消除拖影。全帧CCD图像是按行转移读出的,图像单像元拖影与像元转移列上所有像元数据相关,因此,拖影校正通常需要结合图像所有行数据进行处理。

在许多CT检测应用中,被测工件感兴趣区域仅对应于探测器部分探测区域。在这种情况下,仍旧采用常规的全幅图像读出方式完成CT扫描,会带来大量的冗余数据,极大的影响检测效率。因此,亟需一种针对该类应用的感兴趣区域读出与拖影校正方法,实现被检测工件感兴趣区域读出,避免冗余数据,提高CT检测效率。

发明内容

本发明的目的就是提供一种CT用全帧CCD探测器感兴趣区域读取及拖影校正方法,它可以在全帧CCD探测器应用于CT扫描时实现感兴趣区域的读取及拖影的快速校正。

本发明的目的是通过这样的技术方案实现的,它包括有以下步骤:

1)将X射线探测器按行读出方向垂直安装,调节被检测工件扫描位置,完成常规DR扫描,得到DR图像;

2)根据步骤1)中的DR图像判断感兴趣区域投影行数,若感兴趣区域投影行数大于等于CCD感光区域行数的1/2,则转至步骤3),若感兴趣区域投影行数小于CCD感光区域行数的1/2,则转至步骤4);

3)利用射线屏蔽块遮挡小部分CCD感光区域,并重新调节被检测工件感兴趣区域位置,使感兴趣区域投影对准屏蔽后CCD感光区域且靠近屏蔽块,对被检测工件进行DR曝光,读取除上端冗余数据区域外的其他曝光数据,并进行拖影校正;

4)利用射线屏蔽块遮挡一半的CCD感光区域,并重新调节被检测工件感兴趣区域位置,使感兴趣区域投影对准屏蔽后CCD感光区域且靠近屏蔽块,对被检测工件进行DR曝光,读取除上、下端冗余数据区域外的其他曝光数据,并进行拖影校正。

进一步,步骤3)中读取除上端冗余数据区域外的其他曝光数据,并进行拖影校正的具体步骤如下:

3-1)快速行转移,清空CCD所有行数据;

3-2)探测器有效积分;

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