[发明专利]有机金属加成化合物以及使用其制造集成电路的方法在审
| 申请号： | 202110210695.6 | 申请日： | 2021-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN113402544A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 柳承旻;金在员;朴圭熙;曹仑廷;斋藤和也;小出幸宜;真锅芳树;青木雄太郎;内生藏广幸;布施若菜 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;株式会社ADEKA |
| 主分类号： | C07F9/09 | 分类号： | C07F9/09;C07F9/00;C23C16/18;C23C16/455 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 贺卫国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 金属 加成 化合物 以及 使用 制造 集成电路 方法 | ||
1.一种由通式(I)表示的有机金属加成化合物：
通式(I)
其中，在通式(I)中，
R1、R2和R3各自独立地为C1至C5烷基，R1、R2和R3中的至少一个为其中至少一个氢原子被氟原子取代的C1至C5烷基，
M为铌原子、钽原子或钒原子，
X为卤素原子，
m为3至5的整数，并且
n为1或2。
2.根据权利要求1所述的有机金属加成化合物，其中R1、R2和R3中的至少一个为直链C1至C5烷基。
3.根据权利要求1所述的有机金属加成化合物，其中R1、R2和R3中的至少一个为支链C3至C5烷基。
4.根据权利要求1所述的有机金属加成化合物，其中，在通式(I)中：
M为铌原子或钽原子，并且
X为氟原子或氯原子。
5.根据权利要求1所述的有机金属加成化合物，其中R1、R2和R3各自独立地为三氟甲基、三氟乙基、六氟异丙基或九氟叔丁基。
6.根据权利要求1所述的有机金属加成化合物，其中，在通式(I)中，m为5，并且n为1。
7.根据权利要求1所述的有机金属加成化合物，其中，在通式(I)中：
M为铌原子或钽原子，
X是氯原子，并且
R1、R2和R3各自独立地为支链C3至C5烷基。
8.根据权利要求1所述的有机金属加成化合物，其中，在通式(I)中：
M为铌原子或钽原子，
X是氟原子，并且
R1、R2和R3各自独立地为支链C3至C5烷基。
9.根据权利要求1所述的有机金属加成化合物，其中，在通式(I)中：
M为铌原子或钽原子，
X是氯原子，并且
R1、R2和R3各自独立地为其中所有氢原子都被氟原子取代的C1至C5烷基。
10.根据权利要求1所述的有机金属加成化合物，其中，在通式(I)中：
M为铌原子或钽原子，
X是氟原子，并且
R1、R2和R3各自独立地为其中所有氢原子都被氟原子取代的C1至C5烷基。
11.根据权利要求1所述的有机金属加成化合物，其中所述有机金属加成化合物在20℃至28℃为液体。
12.一种制造集成电路(IC)器件的方法，所述方法包括使用由通式(I)表示的有机金属加成化合物在衬底上形成含金属膜，
通式(I)
其中，在通式(I)中，
R1、R2和R3各自独立地为C1至C5烷基，R1、R2和R3中的至少一个为其中至少一个氢原子被氟原子取代的C1至C5烷基，
M为铌原子、钽原子或钒原子，
X为卤素原子，
m为3至5的整数，并且
n为1或2。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社;株式会社ADEKA，未经三星电子株式会社;株式会社ADEKA许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110210695.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
