[发明专利]有机金属加成化合物以及使用其制造集成电路的方法

说明书

公开了有机金属加成化合物以及制造集成电路(IC)器件的方法，该有机金属加成化合物由通式(I)表示：通式(I)在通式(I)中，R¹、R²和R³各自独立地为C1至C5烷基，R¹、R²和R³中的至少一个为其中至少一个氢原子被氟原子取代的C1至C5烷基，M为铌原子、钽原子或钒原子，X为卤素原子，m为3至5的整数，并且n为1或2。

相关申请的交叉引用

2020年3月16日在韩国知识产权局提交的申请号为10-2020-0032285的韩国专利申请和2020年8月6日在韩国知识产权局提交的申请号为10-2020-0098822的韩国专利申请通过引用以其全文形式结合于此，上述两篇韩国专利申请的发明名称均为“有机金属加成化合物以及使用其制造集成电路的方法”。

技术领域

实施方案涉及有机金属加成化合物以及使用该有机金属加成化合物制造集成电路(IC)器件的方法。

背景技术

近年来，由于电子技术的发展，半导体器件的尺寸缩小快速进步，因此电子器件中包含的图案已经微型化。

发明内容

实施方案可以通过提供由通式(I)表示的有机金属加成化合物来实现：

通式(I)

其中，在通式(I)中，R¹、R²和R³各自独立地为C1至C5烷基，R¹、R²和R³中的至少一个为其中至少一个氢原子被氟原子取代的C1至C5烷基，M为铌原子、钽原子或钒原子，X为卤素原子，m为3至5的整数，并且n为1或2。

实施方案可以通过提供制造集成电路(IC)器件的方法来实现，所述方法包括使用由通式(I)表示的有机金属加成化合物在衬底上形成含金属膜，

通式(I)

其中，在通式(I)中，R¹、R²和R³各自独立地为C1至C5烷基，R¹、R²和R³中的至少一个为其中至少一个氢原子被氟原子取代的C1至C5烷基，M为铌原子、钽原子或钒原子，X为卤素原子，m为3至5的整数，并且n为1或2。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施方案，本申请的特征对本领域技术人员而言将是明显的，在附图中：

图1是根据实施方案的一种制造集成电路(IC)器件的方法的流程图；

图2是一种通过使用根据示例性实施方案的制造IC器件的方法形成含金属膜的方法的详细流程图；

图3A至3D是沉积系统的构造的示意图，所述沉积系统可以用于在根据示例性实施方案的制造IC器件的方法中形成含金属膜；以及

图4A至4J是在根据实施方案的制造IC器件的方法中的各阶段的横截面图。

具体实施方式

当在本文中使用术语“衬底”时，其应被应理解为衬底本身，或者包括衬底和在衬底的表面上形成的预定层或膜的堆叠结构。当在本文中使用术语“衬底的表面”时，其应被理解为衬底本身的暴露表面，或者在衬底上形成的预定层或膜的外表面。如本文中使用的，术语“室温”或“环境温度”是指在约20℃至约28℃范围内的温度，并且可以根据季节变化。