[发明专利]光检测器件、光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种光检测器件，包括：

绝缘层；

硅层，位于所述绝缘层上方；

光检测层，位于所述硅层上方并且在所述硅层的至少部分内延伸；

第一掺杂剂类型的N个第一掺杂区，位于所述光检测层内；以及

第二掺杂剂类型的M个第二掺杂区，位于所述光检测层内，

其中，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区交替布置；并且

其中，M和N是等于或大于2的整数。

2.根据权利要求1所述的光检测器件，其中，所述第一掺杂区中的一个包括在所述硅层的与所述光检测层的第一侧面相邻的部分内的第一部分和在所述光检测层内的第二部分。

3.根据权利要求2所述的光检测器件，其中，所述第一掺杂区的所述第二部分的宽度与所述光检测层的宽度基本相同。

4.根据权利要求3所述的光检测器件，其中，所述第一掺杂区还包括在所述硅层的与所述光检测层的第二侧面相邻的部分内的第三部分，其中，所述光检测层的所述第二侧面与所述光检测层的所述第一侧面相对。

5.根据权利要求2所述的光检测器件，其中，所述第一掺杂区的所述第二部分的宽度小于所述光检测层的宽度。

6.根据权利要求1所述的光检测器件，其中，所述硅层包括在第一方向上延伸并且配置为将光引导至所述光检测层的波导结构。

7.根据权利要求6所述的光检测器件，其中，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区布置在与所述第一方向基本垂直的第二方向上。

8.根据权利要求1所述的光检测器件，其中，所述第一掺杂区中的一个和与所述第一掺杂区相邻的所述第二掺杂区中的一个之间的距离在大约10纳米(nm)至大约500纳米的范围内。

9.一种光器件，包括：

绝缘层；

硅层，位于所述绝缘层上方；

光检测层，位于所述硅层上方并且在所述硅层的至少部分内延伸，所述光检测层具有第一区域和与所述第一区域隔开的第二区域，

其中，所述光检测层的所述第一区域配置为将光转换为第一光电流，

其中，所述第二区域配置为将从所述第一区域接收的所述光转换为第二光电流，并且

其中，所述第二光电流的幅度小于所述第一光电流的幅度。

10.一种用于制造光检测器件的方法，包括：

(a)提供衬底；

(b)在所述衬底上形成绝缘层；

(c)在所述绝缘层上形成硅层；

(d)形成位于所述硅层上并且在所述硅层的至少部分内延伸的光检测层；

(e)在所述光检测层内形成两个或更多个第一掺杂剂类型的第一掺杂区；以及

(f)在所述光检测层内形成两个或更多个第二掺杂剂类型的第二掺杂区，

其中，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区交替布置。