[发明专利]光检测器件、光器件及其制造方法

说明书

本发明提供了一种光检测器件及其制造方法。该光检测器件包括绝缘层、硅层、光检测层、N个第一掺杂区和M个第二掺杂区。硅层设置在绝缘层上方。光检测层设置在硅层上方并且在硅层的至少部分内延伸。第一掺杂区具有第一掺杂剂类型并且设置在光检测层内。第二掺杂区具有第二掺杂剂类型并且设置在光检测层内。第一掺杂区和第二掺杂区交替布置。M和N是等于或大于2的整数。本发明还提供了一种光器件。

技术领域

本发明的实施例涉及光检测器件、光器件及其制造方法。

背景技术

可以在各种应用中使用光信号，包括两个或更多个器件之间的高速和安全数据传输。光电二极管用于将接收到的光子转换为电流。通常根据若干个参数来评估光电二极管的性能，诸如量子效率、工作波长、灵敏度等。期望的是改善光电二极管的性能。

发明内容

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种光检测器件，包括：绝缘层；硅层，位于绝缘层上方；光检测层，位于硅层上方并且在硅层的至少部分内延伸；第一掺杂剂类型的N个第一掺杂区，位于光检测层内；以及第二掺杂剂类型的M个第二掺杂区，位于光检测层内，其中，第一掺杂区和第二掺杂区交替布置；并且其中，M和N是等于或大于2的整数。

根据本发明实施例的另一个方面，提供了一种光器件，包括：绝缘层；硅层，位于绝缘层上方；光检测层，位于硅层上方并且在硅层的至少部分内延伸，光检测层具有第一区域和与第一区域隔开的第二区域，其中，光检测层的第一区域配置为将光转换为第一光电流，其中，第二区域配置为将从第一区域接收的光转换为第二光电流，并且其中，第二光电流的幅度小于第一光电流的幅度。

根据本发明实施例的又一个方面，提供了一种用于制造光检测器件的方法，包括：(a)提供衬底；(b)在衬底上形成绝缘层；(c)在绝缘层上形成硅层；(d)形成位于硅层上并且在硅层的至少部分内延伸的光检测层；(e)在光检测层内形成两个或更多个第一掺杂剂类型的第一掺杂区；以及(f)在光检测层内形成两个或更多个第二掺杂剂类型的第二掺杂区，其中，第一掺杂区和第二掺杂区交替布置。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1A示出了根据本公开一些实施例的光检测器件的顶视图。

图1B示出了根据本公开一些实施例的如图1A示出的光检测器件的截面图。

图1C示出了根据本公开一些实施例的如图1A示出的光检测器件的截面图。

图1D示出了根据本公开一些实施例的如图1A示出的光检测器件的截面图。

图2A示出了根据本公开一些实施例的光检测器件的顶视图。

图2B示出了根据本公开一些实施例的如图2A示出的光检测器件的截面图。

图2C示出了根据本公开一些实施例的如图2A示出的光检测器件的截面图。

图3A示出了根据本公开一些实施例的光检测器件的顶视图。

图3B示出了根据本公开一些实施例的如图3A示出的光检测器件的截面图。

图3C示出了根据本公开一些实施例的如图3A示出的光检测器件的截面图。

图4A示出了根据本公开一些实施例的光检测器件的顶视图。

图4B示出了根据本公开一些实施例的电流产生电路的示意图。

图5A至图5D是示出了根据本公开一些实施例的制造光检测器件的处理步骤的一系列截面图。

具体实施方式