[发明专利]一种晶圆清洗方法在审
申请号: | 202110224921.6 | 申请日: | 2021-03-01 |
公开(公告)号: | CN112992657A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 周志刚;王静强;徐福兴;黄锡钦;陈亮 | 申请(专利权)人: | 昆山基侑电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
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地址: | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 清洗 方法 | ||
1.一种晶圆清洗方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供表面被污染的晶圆,再将晶圆置于晶圆旋干机进行除污处理,
所述除污处理过程为依次对晶圆进行第一清洗液处理,第二清洗液处理,第三清洗液处理,去离子水清洗处理以及干燥处理;
其中,所述第一清洗液处理过程中,晶圆旋干机的转速为1000-2000rpm,所述晶圆旋干机的振动值为200-300um;
所述第二清洗液处理过程中,晶圆旋干机的转速为2000-3000rpm,所述晶圆旋干机的振动值为250-350um;
所述第三清洗液处理过程中,晶圆旋干机的转速为1500-2000rpm,所述晶圆旋干机的振动值为200-250um;
所述去离子处理过程中,晶圆旋干机的转速为2000-2500rpm,所述晶圆旋干机的振动值为250-350um;
所述干燥处理过程在氮气氛围中进行。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆清洗方法,其特征在于,所述晶圆的尺寸为8imch以下。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆清洗方法,其特征在于,所述晶圆旋干机包括去离子水清洗辅助系统;
优选地,所述晶圆旋干机包括氮气干燥辅助系统。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆清洗方法,其特征在于,所述第一次清洗液的各组分以及各组分含量为:硫酸1-2份、氢氧化铵1-3份、双氧水2-6份和去离子水10-14份。
5.根据权利要求1所述的一种晶圆清洗方法,其特征在于,所述第二清洗液的各组分以及各组分含量为:氢氟酸1-2份、氟化铵1-3份以及去离子水1000-2000份。
6.根据权利要求1所述的一种晶圆清洗方法,其特征在于,所述第三清洗液的各组分以及各组分含量为:碳酸钠3-5份、碳酸氢钠5-10份以及去离子水500-1000份;
7.根据权利要求1所述的一种晶圆清洗方法,其特征在于,所述第一清洗液处理过程中温度为70-75℃,时间为10-20min。
8.根据权利要求1所述的一种晶圆清洗方法,其特征在于,所述第二清洗液处理过程中温度为80-85℃,时间为10-20min。
9.根据权利要求1所述的一种晶圆清洗方法,其特征在于,所述第三清洗液处理过程中温度为70-80℃,时间为10-15min。
10.根据权利要求1所述的一种晶圆清洗方法,其特征在于,所述去离子水处理过程中温度为20-25℃,时间为20-30min;
优选地,所述氮气干燥处理时间为10-15min。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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