[发明专利]一种晶圆清洗方法

说明书

本发明提供一种晶圆清洗方法。该方法包括提供表面被污染的晶圆，再将晶圆置于晶圆旋干机进行除污处理，所述除污处理过程为依次对晶圆进行第一清洗液处理，第二清洗液处理，第三清洗液处理，去离子水清洗处理以及干燥处理。本申请提供的一种晶圆清洗方法采用晶圆旋干机对受污染的晶圆进行多次清洗液处理，处理后的晶圆表面清洗均匀且晶圆表面无明显缺陷，清洗过程中不产生对环境有污染的物质是一种绿色环保的清洗方法。

技术领域

本申请涉及一种晶圆清洗方法，属于半导体芯片清洗领域。

背景技术

随着集成电路工艺的快速发展，集成电路芯片制造工艺中对晶圆的清洁度要求越来越高。但是，晶圆在光刻、离子注入、机械研磨等工艺中引入了杂质，于晶圆上加工制作各种电路元件结构后，影响整个计算机产品性能。这就需要对晶圆使用前进行清洗处理，以减少对PC产品的性能。现有技术中，一般采用浸入式清洗晶圆表面杂质，该清洗过程中先浸入清洗液的晶圆部分也是最后离开的部分，导致晶圆表面的浸泡时间不一致，造成晶圆表面清洗程度不均匀，影响晶圆制作的PC产品性能。因此，如何提供一种对晶圆表面清洗均匀且减少晶圆表面缺陷的晶圆清洗方法是一个亟待解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆清洗方法，以克服现有技术中晶圆表面清洗不均匀以及晶圆表面严重缺陷的不足。

为实现前述发明目的，本发明采用的技术方案包括：

所述一种晶圆清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供表面被污染的晶圆，再将晶圆置于晶圆旋干机进行除污处理，

所述除污处理过程为依次对晶圆进行第一清洗液处理，第二清洗液处理，第三清洗液处理，去离子水清洗处理以及干燥处理；

其中，所述第一清洗液处理过程中，晶圆旋干机的转速为1000-2000rpm，所述晶圆旋干机的振动值为200-300um；

所述第二清洗液处理过程中，晶圆旋干机的转速为2000-3000rpm，所述晶圆旋干机的振动值为250-350um；

所述第三清洗液处理过程中，晶圆旋干机的转速为1500-2000rpm，所述晶圆旋干机的振动值为200-250um；

所述去离子处理过程中，晶圆旋干机的转速为2000-2500rpm，所述晶圆旋干机的振动值为250-350um；

所述干燥处理过程在氮气氛围中进行。

可选地，所述被污染的晶圆表面的杂质选自微粒、有机物、无机物、金属和原生氧化物中的至少一种。

可选地，所述第一清洗液处理过程中，晶圆旋干机的转速上限选自1200rpm、1400rpm、1600rpm、1800rpm、2000rpm；所述第一清洗液处理过程中，晶圆旋干机的转速下限选自1000rpm、1200rpm、1400rpm、1600rpm、1800rpm。

可选地，所述第一清洗液处理过程中，晶圆旋干机的振动值上限选自220um、240um、260um、280um、300um；所述第一清洗液处理过程中，晶圆旋干机的振动值下限选自200um、220um、240um、260um、280um。

可选地，所述第二清洗液处理过程中，晶圆旋干机的转速上限选自2200rpm、2400rpm、2600rpm、2800rpm、3000rpm；所述第二清洗液处理过程中，晶圆旋干机的转速下限选自2000rpm、2200rpm、2400rpm、2600rpm、2800rpm。

可选地，所述第二清洗液处理过程中，晶圆旋干机的振动值上限选自260um、270um、280um、290um、300um；所述第二清洗液处理过程中，晶圆旋干机的振动值下限选自250um、260um、270um、280um、290um、300um。