[发明专利]半导体测试图案及其测试方法

权利要求书

1.一种半导体测试图案，其特征在于，包含:

高密度元件区；以及

多个电阻对，环绕于该高密度元件区的周围，其中每一个电阻对包含有两个相互对称的电阻图案，

其中每一个电阻图案包含有多条相互平行排列的条状电阻图案，以及多个导线将该些条状电阻图案相互串联。

2.如权利要求1所述的半导体测试图案，其中该多个电阻对包含有沿着第一方向排列的多个电阻对，而剩余的部分测试图案包含有沿着第二方向排列的多个电阻对。

3.如权利要求2所述的半导体测试图案，其中该第一方向与该第二方向互相垂直。

4.如权利要求2所述的半导体测试图案，其中沿着该第一方向排列的多个电阻对，包含有多个沿着该第一方向排列的条状电阻图案，且沿着该第二方向排列的多个电阻对，包含有多个沿着该第二方向排列的条状电阻图案。

5.如权利要求1所述的半导体测试图案，其中该多个电阻对中的任一电阻对与该高密度元件区之间的最短距离介于1.5微米～50微米。

6.一种半导体测试图案的测试方法，包含:

提供半导体测试图案，该半导体测试图案包含:

高密度元件区；

多个电阻对，环绕于该高密度元件区的周围，其中每一个电阻对包含有两个相互对称的电阻图案，其中每一个电阻图案包含有多条相互平行排列的条状电阻图案，以及多个导线将该些条状电阻图案相互串联；以及

对该半导体测试图案进行激光加热步骤；以及

测试该半导体测试图案的各电阻对的电阻变化。

7.如权利要求6所述的测试方法，其中该多个电阻对包含有沿着第一方向排列的多个电阻对，而剩余的部分测试图案包含有沿着第二方向排列的多个电阻对。

8.如权利要求7所述的测试方法，其中该第一方向与该第二方向互相垂直。

9.如权利要求7所述的测试方法，其中沿着该第一方向排列的多个电阻对，包含有多个沿着该第一方向排列的条状电阻图案，且沿着该第二方向排列的多个电阻对，包含有多个沿着该第二方向排列的条状电阻图案。

10.如权利要求6所述的测试方法，其中对该半导体测试图案进行激光加热步骤，包含:

提供多个基底，每一个基底上包含有一个该半导体测试图案；

从一角度，对其中一个基底的该半导体测试图案进行激光加热步骤；

从另一角度，对另一个基底的该半导体测试图案进行激光加热步骤；以及

找出最合适角度，以对该半导体测试图案的阻值影响最小。

11.如权利要求10所述的测试方法，其中该激光加热步骤，包含从该最合适角度，并以扫描的方式，对该半导体测试图案进行激光加热。

12.如权利要求6所述的测试方法，其中测试该半导体测试图案的电阻变化，包含:

在该激光加热步骤进行后，测量每一个电阻对的两个电阻图案之间的电阻差异值。

13.如权利要求6所述的测试方法，其中该多个电阻对中的任一电阻对与该高密度元件区之间的最短距离介于1.5微米～50微米。