[发明专利]半导体封装件

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

半导体芯片；

再分布层结构，所述再分布层结构设置在所述半导体芯片下方；

凸块焊盘，所述凸块焊盘设置在所述再分布层结构下方，所述凸块焊盘具有上部结构和下部结构，所述上部结构具有第一宽度，所述下部结构具有小于所述第一宽度的第二宽度；

金属晶种层，所述金属晶种层沿着所述上部结构的下表面和所述下部结构的侧表面设置；

绝缘层，所述绝缘层围绕所述再分布层结构和所述凸块焊盘；和

凸块结构，所述凸块结构设置在所述凸块焊盘下方，

其中，第一底切设置在所述金属晶种层的与所述上部结构接触的一端处，第二底切设置在所述金属晶种层的与所述下部结构接触的另一端处。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述再分布层结构包括：

多条再分布层线；和

多个通路，所述多个通路连接到所述多条再分布层线，

其中，所述多个通路具有远离所述半导体芯片变窄的逐渐变窄的形状。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一底切和所述第二底切彼此正交地延伸。

4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述第一底切被所述绝缘层填充，并且所述第二底切被所述凸块结构填充。

5.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中，所述凸块结构具有第三宽度，所述第三宽度大于所述下部结构的所述第二宽度。

6.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述第一底切被所述绝缘层填充，并且所述第二底切是空的。

7.根据权利要求6所述的半导体封装件，其中，所述凸块结构具有第三宽度，并且所述下部结构的所述第二宽度大于或等于所述凸块结构的所述第三宽度。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述金属晶种层包括钛、钛钨和铬中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述下部结构的下表面的水平高度与所述绝缘层的最下表面的水平高度相同，

其中，所述凸块结构与所述下部结构的所述下表面和所述侧表面接触，并且

其中，所述凸块结构与所述绝缘层的侧表面接触，并且不与所述绝缘层的所述下表面接触。

10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述上部结构的上表面是向上凸的或向下凹的。

11.一种半导体封装件，包括：

第一子封装件，所述第一子封装件包括第一半导体芯片；

第二子封装件，所述第二子封装件设置在所述第一子封装件上，并且包括第二半导体芯片；和

封装件间连接结构，所述封装件间连接结构将所述第一子封装件连接到所述第二子封装件，

其中，所述第一子封装件和所述第二子封装件均包括：

下再分布层结构，

凸块焊盘，所述凸块焊盘设置在所述下再分布层结构下方，所述凸块焊盘具有上部结构和下部结构，所述上部结构具有第一宽度，所述下部结构具有小于所述第一宽度的第二宽度，

金属晶种层，所述金属晶种层沿着所述上部结构的下表面和所述下部结构的侧表面设置，

下绝缘层，所述下绝缘层围绕所述下再分布层结构和所述凸块焊盘，以及

凸块结构，所述凸块结构设置在所述凸块焊盘下方，

其中，第一底切设置在所述金属晶种层的与所述上部结构接触的一端处，并且第二底切设置在所述金属晶种层的与所述下部结构接触的另一端处。

12.根据权利要求11所述的半导体封装件，其中，所述第一子封装件还包括围绕所述第一半导体芯片的侧表面设置的框架结构，并且

其中，所述第一子封装件的所述框架结构和所述下再分布层结构通过设置在所述框架结构内部的贯通电极彼此电连接。