[发明专利]半导体封装件

说明书

一种半导体封装件，包括：半导体芯片；再分布层结构，所述再分布层结构设置在所述半导体芯片下方；凸块焊盘，所述凸块焊盘设置在所述再分布层结构下方，并且具有上部结构和下部结构，所述上部结构具有第一宽度，所述下部结构具有小于所述第一宽度的第二宽度；金属晶种层，所述金属晶种层沿着所述上部结构的下表面和所述下部结构的侧表面设置；绝缘层，所述绝缘层围绕所述再分布层结构和所述凸块焊盘；和凸块结构，所述凸块结构设置在所述凸块焊盘下方。第一底切设置在所述金属晶种层的与所述上部结构接触的一端处，第二底切设置在所述金属晶种层的与所述下部结构接触的另一端处。

相关申请的交叉引用

要求于2020年3月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0037361的优先权，该专利申请的全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开涉及半导体封装件，并且更具体地涉及包括再分布层的半导体封装件。

背景技术

随着电子工业的快速发展并且为了满足用户的需求，电子设备变得越来越紧凑和多功能。因此，对于电子设备中使用的半导体芯片的小型化和多功能化的需求日益增长。因此，需要具有精细节距的连接端子的半导体芯片，并且需要微型电极焊盘以在具有有限的半导体封装件尺寸的结构中安装高容量的半导体芯片。因此，需要用于将外部连接端子电连接到包括在半导体封装件中的微型电极焊盘的再分布层。

发明内容

本发明构思的实施例提供一种通过减少由凸块焊盘引起的缺陷而具有提高的可靠性和制造生产率的半导体封装件及其制造方法。

本发明构思的实施例提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片；再分布层结构，所述再分布层结构设置在所述半导体芯片下方；凸块焊盘，所述凸块焊盘设置在所述再分布层结构下方，所述凸块焊盘具有上部结构和下部结构，所述上部结构具有第一宽度，所述下部结构具有小于所述第一宽度的第二宽度；金属晶种层，所述金属晶种层沿着所述上部结构的下表面和所述下部结构的侧表面设置；绝缘层，所述绝缘层围绕所述再分布层结构和所述凸块焊盘；和凸块结构，所述凸块结构设置在所述凸块焊盘下方。第一底切设置在所述金属晶种层的与所述上部结构接触的一端处，第二底切设置在所述金属晶种层的与所述下部结构接触的另一端处。

本发明构思的实施例提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一子封装件，所述第一子封装件包括第一半导体芯片；第二子封装件，所述第二子封装件设置在所述第一子封装件上，并且包括第二半导体芯片；和封装件间连接结构，所述封装件间连接结构将所述第一子封装件连接到所述第二子封装件。所述第一子封装件和所述第二子封装件均包括：下再分布层结构，凸块焊盘，所述凸块焊盘设置在所述下再分布层结构下方，所述凸块焊盘具有上部结构和下部结构，所述上部结构具有第一宽度，所述下部结构具有小于所述第一宽度的第二宽度，金属晶种层，所述金属晶种层沿着所述上部结构的下表面和所述下部结构的侧表面设置，下绝缘层，所述下绝缘层围绕所述下再分布层结构和所述凸块焊盘，以及凸块结构，所述凸块结构设置在所述凸块焊盘下方。第一底切设置在所述金属晶种层的与所述上部结构接触的一端处，并且第二底切设置在所述金属晶种层的与所述下部结构接触的另一端处。

本发明构思的实施例提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：凸块结构；T形凸块焊盘，所述T形凸块焊盘设置在所述凸块结构上，所述T形凸块焊盘具有上部结构和下部结构，在所述上部结构与所述下部结构之间具有台阶差；再分布层结构，所述再分布层结构设置在所述凸块焊盘上，并且具有多条再分布层线；多个绝缘层，所述多个绝缘层围绕所述再分布层结构和所述凸块焊盘；金属晶种层，所述金属晶种层共形地设置在所述上部结构的下表面与所述多个绝缘层的最下部绝缘层之间，以及所述下部结构的侧表面与所述最下部绝缘层之间；和半导体芯片，所述半导体芯片设置在所述再分布层结构上并且电连接到所述凸块结构。第一底切设置在所述金属晶种层的一端处，第二底切设置在所述金属晶种层的另一端处，并且所述第一底切和所述第二底切彼此正交地延伸。