[发明专利]一种可靠性改善型半导体器件

权利要求书

1.一种可靠性改善型半导体器件，包括中部为元胞区（1）、边缘为终端保护区（2）及截止区（15）的器件本体（3），截止区位于终端保护区的外围，器件本体包括表面具有绝缘介质层（4）的半导体衬底（5）、设于绝缘介质层上方的金属互联层（6）及位于金属互联层上方且延伸至截止区的保护层（7），所述金属互联层通过器件本体表面的第一接触孔（8）与半导体衬底表面的基极或栅极连接，其特征在于：器件本体的截止区表面设有底端延伸至半导体衬底的第三接触孔（9），第三接触孔内设有连接半导体衬底与金属互联层的漏电泄放金属（10），所述金属互联层包括位于绝缘介质层上方的第一金属层（11），第一金属层由铝硅铜合金制成，其中硅的成分大于1%，所述金属互联层还包括位于第一金属层上方的第二金属层（12），第二金属层由高温铝铜合金制成。

2.根据权利要求1所述的可靠性改善型半导体器件，其特征在于：所述保护层包括金属互联层上方的第一钝化层（13），第一钝化层为氮化层。

3.根据权利要求2所述的可靠性改善型半导体器件，其特征在于：所述保护层还包括位于第一钝化层上方的第二钝化层（14），第二钝化层为聚酰亚胺层。