[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

鳍部，位于所述衬底上；

隔离层，位于相邻所述鳍部之间的所述衬底上，所述隔离层的顶部表面低于所述鳍部的顶部表面；

栅极结构，位于所述衬底上且横跨所述鳍部，所述栅极结构覆盖所述鳍部的部分顶部和侧壁表面以及所述隔离层的顶部表面；

源漏掺杂层，位于所述栅极结构两侧的所述鳍部内；

间隔层，位于所述源漏掺杂层和所述衬底之间。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：缓冲层，位于所述衬底上，所述鳍部位于所述缓冲层上。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述间隔层包括绝缘层或空气间隙层。

4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述缓冲层的材料包括硅锗，所述缓冲层的材料中锗的摩尔百分比浓度为5％～50％。

5.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘层的材料包括氧化硅和氧化锗。

6.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述源漏掺杂层中具有掺杂离子，所述掺杂离子包括N型离子或P型离子。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，当所述掺杂离子为P型离子时，所述鳍部的材料包括硅锗。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述鳍部的材料中锗的摩尔百分比浓度大于所述缓冲层的材料中锗的摩尔百分比浓度，所述鳍部的材料中锗的摩尔百分比浓度大于等于20％。

9.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，当所述源漏掺杂层和所述衬底之间为绝缘层时，还包括：保护层，位于所述源漏掺杂层表面。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层的材料包括硅。

11.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，当所述掺杂离子为N型离子时，所述鳍部的材料包括硅。

12.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成缓冲层；

在所述缓冲层上形成鳍部；

在相邻所述鳍部之间的所述衬底上形成隔离层，所述隔离层覆盖所述缓冲层的侧壁表面；

在所述衬底上形成伪栅结构，所述伪栅结构横跨所述鳍部；

在所述伪栅结构两侧的所述鳍部内形成源漏掺杂层；

消耗部分所述缓冲层，在所述源漏掺杂层与所述衬底之间形成间隔层。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述间隔层包括绝缘层或空气间隙层。

14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述间隔层之前，还包括：刻蚀部分厚度的所述隔离层，直至暴露出所述缓冲层的侧壁表面。

15.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述源漏掺杂层中具有掺杂离子，所述掺杂离子包括N型离子或P型离子。

16.如权利要求15所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，当在所述源漏掺杂层与所述衬底之间形成绝缘层时，形成所述绝缘层的方法包括：对暴露出的所述缓冲层进行氧化处理，在所述源漏掺杂层与所述衬底之间形成绝缘层。

17.如权利要求16所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氧化处理包括炉管工艺或快速热退火工艺。