[发明专利]电磁光一体化测试的物理特性综合测试系统在审

专利信息
申请号: 202110328547.4 申请日: 2021-03-26
公开(公告)号: CN113067549A 公开(公告)日: 2021-07-02
发明(设计)人: 陈水源;张裕祥;王可;霍冠忠;叶晴莹;裴哲;林文青 申请(专利权)人: 福建师范大学
主分类号: H02S50/10 分类号: H02S50/10;H02S50/15
代理公司: 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 代理人: 戴雨君
地址: 350108 福建省福州*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电磁 一体化 测试 物理 特性 综合测试 系统
【说明书】:

发明公开电磁光一体化测试的物理特性综合测试系统,其包括光源、样品台和光电性能测试仪;光源设于样品台的上方并发射模拟太阳光,样品台的上表面的块状样品放置台具有多种不同规格的样品限位槽,块状样品放置台的底面设置材料槽,材料槽内放置导电抗磁材料,导电抗磁材料与块状样品的底面接触,样品台的正面对应材料槽的两侧分别设有一螺丝钉锁孔,螺丝钉锁孔内锁附有螺丝钉,导电抗磁材料延伸出材料槽缠部分绕于螺丝钉上,光电性能测试仪的测试端连接至螺丝钉;样品台底部具有正面开口的磁体放置腔,磁体放置腔内可更换放置有磁体放置器,磁体放置器的上端面固定有磁体。本发明可调磁场大小的,实现测量的稳定性,减少不可控因素的影响。

技术领域

本发明涉及半导体器件领域,尤其涉及电磁光一体化测试的物理特性综合测试系统。

背景技术

大数据时代,对芯片的需求日益增长,然而芯片开发是建立在半导体器件之上。一般半导体器件结构涵盖二极管、JFET、MOSFET等等,这些器件经常涉及电场的施加,然而有个相对应的问题就是部分半导体器件结构的电极并不是在同一面,那么光电测试平台的测试端如何与电极形成良好的接触,这个是其中的一个难题。如果是对于薄膜样品或者块体材料,可以通过导电材料将样品上的电极引出来并得将样品竖起来,然而样品无法竖起也是个问题。再者,如果还需研究光照对半导体器件的影响,那么样品就必须平放,这个无法保证光照与测量的同时性,这个是另一个问题。由于目前的光电性能测试平台都没有涉及磁场的问题,导致测试平台都是磁性材料制成的,因此若需研究磁场对样品的影响,那么解决测试平台不受磁场的影响保证测试的稳定性又是另一个难题。随着科技的发展,研究人员往往会研究其他的外界条件(电场、磁场和光场)对器件或者材料的影响,备受关注,则必然会遇上以上的几个难题。

发明内容

本发明的目的在于提供电磁光一体化测试的物理特性综合测试系统,不但可以改变了光电性能测试仪两个测试端必须位于块状样品的同一面的弊端,同时可以解决太阳能电池中的底衬结构的电极与测试端的接触难题,而且也可以解决场效应管结构中的三个极不在同一侧的测量问题,同样地,可以保证物理特性综合测试系统的稳定性。

本发明采用的技术方案是:

电磁光一体化测试的物理特性综合测试系统,其包括光源、样品台和光电性能测试仪;光源设于样品台的上方并发射模拟太阳光,样品台的上表面设有块状样品放置台,块状样品放置台具有多种不同规格的样品限位槽,块状样品放置台的底面设置材料槽,材料槽的一端开口位于样品台的正面,材料槽内放置导电抗磁材料,导电抗磁材料与块状样品放置台上放置的块状样品的底面接触,样品台的正面对应材料槽的两侧分别设有一螺丝钉锁孔,螺丝钉锁孔内锁附有螺丝钉,导电抗磁材料延伸出材料槽缠部分绕于螺丝钉上,光电性能测试仪的测试端连接至螺丝钉;样品台底部具有正面开口的磁体放置腔,磁体放置腔内可更换放置有磁体放置器,磁体放置器的上端面设有磁体定位槽,磁体定位槽固定有磁体。

进一步地,作为一种较优实施方式,磁体放置器根据所需磁场强度具有多种不同高度规格。

进一步地,作为一种较优实施方式,磁体放置器有三种高度规格,分别为高1cm*长10.5cm*宽5.5cm、高1.5cm*长10.5cm*宽5.5cm及高2cm*长10.5cm*宽5.5cm的磁体放置器。

具体地,磁体在样品处提供的磁场也就相对应有三个值,其中磁体放置在高为2cm的磁体放置器,可使样品处的磁场强度达到最大,首次使用时需要用高斯计进行标定磁体放置在每个高度磁体放置器能给块状样品放置台处的磁场的大小,每个高度磁体放置器在块状样品台处提供的磁场的大小是固定的,后续使用时无需使用高斯计进行测量块状样品放置台处的磁场的大小。磁体放置器不限定于这三个规格,可根据需求,再设计其他高度的磁体放置器。高斯计是测量磁场大小的专用工具。

进一步地,作为一种较优实施方式,磁体放置腔的规格大小为长11cm*宽5.6cm*高6cm。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建师范大学,未经福建师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110328547.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top