[发明专利]一种基于TSV的并联开路短截线型宽带带阻滤波器有效
| 申请号： | 202110357179.6 | 申请日： | 2021-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN113285192B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 王凤娟;张凯;余宁梅;杨媛;朱樟明;尹湘坤 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01P1/209 | 分类号： | H01P1/209 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 燕肇琪 |
| 地址： | 710048 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 tsv 并联 开路 线型 宽带 带阻滤波器 | ||
1.一种基于TSV的并联开路短截线型宽带带阻滤波器，其特征在于，包括金属线RDL，所述金属线RDL上连接有谐振器，所述谐振器为若干个TSV圆柱，所述TSV圆柱均与金属线RDL互联，所述金属线RDL的两端分别设置有RDL输入端(4)和RDL输出端(5)；
所述TSV圆柱为TSV铜柱(1)，所述TSV铜柱(1)为电镀铜柱，所述TSV铜柱(1)的外壁为绝缘层(2)，相邻两个TSV铜柱(1)之间设置有硅衬底(7)；
所述TSV圆柱为6个，所述绝缘层(2)为二氧化硅；
所述金属线RDL包括RDL布线层(3)，所述RDL布线层(3)的上面设置有二氧化硅层(6)，所述RDL布线层(3)的下面连接谐振器，所述RDL布线层(3)两端分别设置有RDL输入端(4)和RDL输出端(5)；
所述RDL布线层(3)段长为496.8μm，所述RDL布线层(3)的宽为20μm，所述RDL布线层(3)的厚为5μm；所述TSV铜柱(1)的直径为15μm，绝缘层(2)厚度为2.5μm，TSV铜柱(1)的高度为80μm；
6个所述TSV圆柱分为第一谐振腔、第二谐振腔、第三谐振腔、第四谐振腔、第五谐振腔、第六谐振腔，谐振腔通过电容和RDL布线层(3)进行能量耦合，第一谐振腔与第六谐振腔对称，第二谐振腔对第五谐振腔对称，第三谐振腔对第四谐振腔对称；RDL输入端(4)与第一谐振腔圆心之间的间距为12.5μm，第一谐振腔与第二谐振腔中轴线之间距离为56.4μm，第二个谐振腔与第三个谐振腔的中轴线之间的距离为64.7μm，第三谐振腔与第四谐振腔中轴线之间距离为62.3μm，第四谐振腔与第五谐振腔中轴线之间距离为64.7μm，第五谐振腔与第六谐振腔中轴线之间距离为62.3μm，RDL输出端(5)与第六个TSV谐振腔圆心之间的距离为12.5μm。
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