[发明专利]一种原位生长制备放射状二氧化钛纳米棒包裹硅胶核-壳结构微球的方法有效

专利信息
申请号: 202110377114.8 申请日: 2021-04-08
公开(公告)号: CN113101878B 公开(公告)日: 2022-05-24
发明(设计)人: 梁晓静;梅玲;王旭生;郭勇;王帅 申请(专利权)人: 中国科学院兰州化学物理研究所
主分类号: B01J13/02 分类号: B01J13/02;C01B33/14;C01G23/053;C01G23/08
代理公司: 兰州智和专利代理事务所(普通合伙) 62201 代理人: 张英荷
地址: 730000 甘*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要:
搜索关键词: 一种 原位 生长 制备 放射 氧化 纳米 包裹 硅胶 结构 方法
【权利要求书】:

1.一种原位生长制备放射状TiO2纳米棒包裹硅胶核-壳结构微球的方法,包括以下步骤:

(1)活化硅胶:将多孔硅胶用浓盐酸浸泡进行活化处理后用去离子水洗涤至中性,在110℃~120℃干燥10~12h,得到活化硅胶;

(2)制备晶种层:将活化硅胶加入到晶种溶液中超声、搅拌,使晶种溶液均匀附着在硅胶表面,离心、干燥后重复附着过程3~4次;然后将附着晶种的硅胶放入马弗炉中进行退火处理,得到表面附着TiO2晶种层的硅胶;所述晶种溶液为将3~4 mL钛酸四丁酯在搅拌下加入到50~60 mL无水乙醇中形成的溶液;所述退火条件为400~500℃煅烧4~6 h;

(3)溶剂热原位生长:将附着晶种层的硅胶加入到钛酸四丁酯的甲苯溶液中,在冰水浴条件下边搅拌边滴加入TiCl4水溶液,滴加完毕后将混合溶液放入高压釜中进行溶剂热反应,在SiO2表面原位生长放射状TiO2壳层;产物经乙醇洗涤、干燥,得到放射状TiO2纳米棒包裹SiO2核-壳结构微球;TiCl4水溶液浓度为20~30 wt%,钛酸四丁酯与TiCl4的摩尔比为1:1~1:1.1,溶剂热反应是在180~200℃下反应20~24h。

2.如权利要求1所述一种原位生长放射状TiO2纳米棒包裹硅胶核-壳结构微球的方法,其特征在于:步骤(1)中,多孔硅胶的粒径为3~5 μm,浓盐酸浸泡时间为36~48 h。

3.如权利要求1所述一种原位生长放射状TiO2纳米棒包裹硅胶核-壳结构微球的方法,其特征在于:步骤(2)中,超声条件为100w超声20~30 min,搅拌条件为500转/分搅拌1~2 h。

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