[发明专利]膜处理设备在审
申请号: | 202110380825.0 | 申请日: | 2021-04-09 |
公开(公告)号: | CN113174587A | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 王质武 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杜蕾 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 设备 | ||
1.一种膜处理设备,其特征在于,包括:
主体,包括第一腔体、第一进气口、第一出气口,所述第一进气口和所述第一出气口分别连通所述第一腔体;
第一电极和第二电极,位于所述第一腔体内,所述第一电极和所述第二电极相对设置以围成处理腔体;以及
导流组件,位于所述第一腔体内,包括第二腔体、第二进气口、第二出气口,所述第二进气口和所述第二出气口分别连通所述第二腔体,所述第二进气口正对所述处理腔体的侧部,所述第二出气口连通所述第一出气口。
2.根据权利要求1所述的膜处理设备,其特征在于,所述导流组件包括相对设置的第一绝缘板和第二绝缘板,以及第三绝缘板,所述第三绝缘板连接于所述第一绝缘板和所述第二绝缘板的一端,所述第一绝缘板、所述第二绝缘板、所述第三绝缘板和所述主体的设有所述第一出气口的腔壁围成第二腔体。
3.根据权利要求2所述的膜处理设备,其特征在于,所述第一绝缘板、第二绝缘板以及第三绝缘板的材料为氧化铝。
4.根据权利要求2所述的膜处理设备,其特征在于,所述第一出气口位于所述主体的底部或者侧部。
5.根据权利要求1所述的膜处理设备,其特征在于,所述导流组件围绕所述处理腔体,所述导流组件包括多个所述第二进气口。
6.根据权利要求5所述的膜处理设备,其特征在于,所述第一电极和所述第二电极呈长方体状,所述导流组件包括相对的第一侧和第二侧,以及相对的第三侧和第四侧,所述第一侧、所述第二侧、所述第三侧和所述第四侧围绕所述处理腔体,所述第一侧和所述第二侧平行于所述第一电极和所述第二电极的长边,所述第三侧和所述第四侧平行于所述第一电极和所述第二电极的短边,多个所述第二进气口位于所述第一侧、所述第二侧、所述第三侧和所述第四侧。
7.根据权利要求6所述的膜处理设备,其特征在于,所述主体包括两所述第一出气口,两所述第一出气口分别位于所述第三侧和所述第四侧。
8.根据权利要求5所述的膜处理设备,其特征在于,多个所述第二进气口均匀分布。
9.根据权利要求1所述的膜处理设备,其特征在于,所述第一电极比所述第二电极更靠近所述第一进气口,所述第一电极设有连通所述第一进气口的通孔。
10.根据权利要求1所述的膜处理设备,其特征在于,所述第二进气口的开口方向与所述第一电极和所述第二电极平行。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的