[发明专利]光电转换装置和装备在审
申请号: | 202110404326.0 | 申请日: | 2021-04-15 |
公开(公告)号: | CN113540135A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 都甲宪二;石野英明;林良之 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京怡丰知识产权代理有限公司 11293 | 代理人: | 迟军;高华丽 |
地址: | 日本东京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 装置 装备 | ||
1.一种光电转换装置,其包括光接收像素区域和遮光像素区域,所述光电转换装置包括:
光电转换层,其包括多个光电转换部;
在光接收像素区域中的光电转换层上方的遮光部,所述遮光部围绕各个透光部,各个透光部作为入射到光接收像素区域中的所述多个光电转换部中的各个上的光的光路;以及
沿着光电转换层的主表面的遮光膜,所述遮光膜在遮光像素区域中的光电转换层上方,
其中,所述遮光部包括下端和上端,该下端作为在垂直于所述光电转换层的主表面的第一方向上更靠近所述光电转换层的一端,该上端作为在第一方向上与所述遮光部的下端相对的一端,
其中,所述遮光膜包括作为在第一方向上更靠近光电转换层的表面的下表面和作为在第一方向上与光电转换层相对的表面的上表面,
其中,所述遮光部的上端与光电转换层之间的距离比所述遮光膜的下表面与光电转换层之间的距离长,
其中,所述遮光部的下端与光电转换层之间的距离比所述遮光膜的下表面与光电转换层之间的距离短,
其中,在包括所述遮光膜和所述遮光部的平面中,配设有由所述遮光部限定的开口和在所述遮光部与所述遮光膜之间的间隙,并且
其中,间隙在开口和间隙并排布置的第二方向上的宽度比开口在第二方向上的宽度窄。
2.根据权利要求1所述的光电转换装置,其中,满足以下不等式:
B/D(W+L)/L
其中,W是间隙的宽度,
L是所述遮光部在第一方向上的宽度,
B是所述遮光膜的上表面与光电转换层之间的距离,
D是所述遮光部的下端与光电转换层之间的距离。
3.根据权利要求2所述的光电转换装置,其中,满足D<W。
4.根据权利要求2所述的光电转换装置,其中,满足D<W/2。
5.根据权利要求2所述的光电转换装置,其中,满足W<B。
6.根据权利要求3所述的光电转换装置,其中,满足W<B。
7.根据权利要求4所述的光电转换装置,其中,满足W<B。
8.根据权利要求2所述的光电转换装置,其中,满足L<B。
9.根据权利要求2所述的光电转换装置,其中,满足W<L
和/或
满足B-DW。
10.根据权利要求8所述的光电转换装置,其中,满足W<L
和/或
满足B-DW。
11.根据权利要求1所述的光电转换装置,其中,所述间隙的宽度小于500nm。
12.根据权利要求1所述的光电转换装置,其中,所述遮光部的下端与所述光电转换层之间的距离小于200nm。
13.根据权利要求1所述的光电转换装置,其中,所述遮光部包括主要由钨构成的金属层,并且所述遮光膜包括主要由铝构成的金属层。
14.根据权利要求1所述的光电转换装置,其中,在所述平面中配设有氮化硅膜。
15.根据权利要求1所述的光电转换装置,其中,所述遮光部的上端与所述光电转换层之间的距离比所述上表面与所述光电转换层之间的距离长。
16.根据权利要求1所述的光电转换装置,其中,在所述光接收像素区域中的光电转换层中的第一光电转换部与第二光电转换部之间配设有凹槽,第一光电转换部与第二光电转换部包括在所述多个光电转换部中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的