[发明专利]晶体管的制造方法、晶体管、基本存储单元、以及动态随机存取存储器

说明书

本发明提供一种晶体管的制造方法、晶体管、基本存储单元、以及动态随机存取存储器。所述方法包括如下步骤：形成导电沟道，所述导电沟道包括柱状本体以及两侧的端部，所述端部至少有一为突出设置；形成环绕所述柱状本体的栅绝缘层，并暴露所述导电沟道两侧的端部；形成环绕所述栅绝缘层的栅电极；在所述导电沟道两侧的端部形成源电极和漏电极。上述晶体管是从现有技术的水平方向的晶体管改进为垂直方向，从而使得单个晶体管在水平方向上所占的面积减少，单位面积的晶体管数量增加，提高了晶体管密度。

技术领域

本发明涉及半导体工艺领域，尤其涉及一种晶体管的制造方法、晶体管、基本存储单元、以及动态随机存取存储器。

背景技术

动态随机存取存储器基本单元如附图1A所示，并通过附图1B所示的阵列结构形成存储器。基本单元通常称为1T1C结构。其中的1T，即晶体管，主要有附图2A所示的平面晶体管和附图2B所示的埋入式沟道阵列晶体管两种结构。此两种结构的晶体管，源极和漏极分布于栅极水平平面方向的两侧，从而使得晶体管在水平方向上所占的面积较大。

因动态随机存取存储器的位线和存储器件是与源极/漏极之一分别相连接，故利用此两种结构的晶体管制作存储器，位线和存储器件电容均位于栅极的同一侧，在加工工艺上，均位于晶圆的同一面，从而使得整体的工艺复杂度较高，尤其是对于光刻及相关工艺有着极高的要求，工艺过程控制难度较大，失效率较高。

因此，如何弥补现有技术的缺点，实现晶体管密度及工艺制造难度上的突破，是现有技术亟需解决的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种晶体管的制造方法、晶体管、基本存储单元、以及动态随机存取存储器，提高晶体管密度，降低工艺制造难度。

为了解决上述问题，本发明提供了一种晶体管的制造方法，包括如下步骤：形成导电沟道，所述导电沟道包括柱状本体以及两侧的端部，所述端部至少有一为突出设置；形成环绕所述柱状本体的栅绝缘层，并暴露所述导电沟道两侧的端部；形成环绕所述栅绝缘层的栅电极；在所述导电沟道两侧的端部形成源电极和漏电极。

为了解决上述问题，本发明提供了一种晶体管，包括：导电沟道，所述导电沟道包括柱状本体以及两侧的端部，所述端部至少有一为突出设置；环绕所述柱状本体的栅绝缘层；环绕所述栅绝缘层的栅电极；以及覆盖所述导电沟道两侧端部的源电极和漏电极。

为了解决上述问题，本发明提供了一种动态随机存取存储器的基本存储单元，包括一晶体管和一电容，所述晶体管包括：导电沟道，所述导电沟道包括柱状本体以及两侧的端部，所述端部至少有一为突出设置；环绕所述柱状本体的栅绝缘层；环绕所述栅绝缘层的栅电极；以及覆盖所述导电沟道两侧端部的源电极和漏电极。

为了解决上述问题，本发明提供了一种动态随机存取存储器，包括多个基本存储单元，所述基本存储单元包括一晶体管和一电容，所述晶体管包括：导电沟道，所述导电沟道包括柱状本体以及两侧的端部，所述端部至少有一为突出设置；环绕所述柱状本体的栅绝缘层；环绕所述栅绝缘层的栅电极；以及覆盖所述导电沟道两侧端部的源电极和漏电极。

上述晶体管是从现有技术的水平方向的晶体管改进为垂直方向，从而使得单个晶体管在水平方向上所占的面积减少，单位面积的晶体管数量增加，提高了晶体管密度；晶体管沟道和栅极沿着水平方向包围了整个晶体管，从而增加了栅极的控制能力，提升了晶体管的性能；晶体管两端源极和漏极通过对单片晶圆的两面分别加工产生，不直接和衬底相连，后续可通过键合工艺贴到另一片晶圆上，结构灵活，易于加工制造。

附图说明

附图1A是现有技术中一种动态随机存取存储器基本单元。

附图1B是现有技术中一种动态随机存取存储器阵列结构。

附图2A和附图2B所示是现有技术中一种动态随机存取存储中的平面晶体管结构示意图。