[发明专利]一种相变存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种相变存储器，其特征在于，包括：

由下至上依次层叠设置的第一导电线、相变存储单元以及第二导电线；其中，所述第一导电线和所述第二导电线平行于同一平面且彼此垂直，所述相变存储单元与所述第一导电线和第二导电线均垂直；所述相变存储单元包括层叠设置的选通层和相变存储层；

所述相变存储层包括多层相变材料层和位于所述相变材料层之间的导热材料层。

2.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，

所述导热材料层为多层的情况下，所述相变材料层和所述导热材料层交替层叠设置。

3.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，

所述相变材料层的厚度大于所述导热材料层的厚度。

4.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，

所述相变材料层的层数大于所述导热材料层的层数。

5.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，

所述导热材料层的厚度范围为1-5nm。

6.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，

所述导热材料层的材料包括以下至少之一：金属氮化合物、钛钨合金。

7.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述相变存储单元还包括：第一电极层、第二电极层和第三电极层；

所述第一电极层与所述第一导电线电接触，所述第二电极层位于所述选通层和所述相变存储层之间，所述第三电极层与所述第二导电线电接触；

所述导热材料层不与所述第二电极层和所述第三电极层电接触。

8.一种相变存储器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

依次形成层叠设置的第一导电线、相变存储单元以及第二导电线；

其中，所述第一导电线和所述第二导电线平行于同一平面且彼此垂直，所述相变存储单元与所述第一导电线和第二导电线均垂直；所述相变存储单元包括层叠设置的选通层和相变存储层；

所述相变存储层包括多层相变材料层和位于所述相变材料层之间的导热材料层。

9.根据权利要求8所述的相变存储器的制造方法，其特征在于，所述导热材料层为多层的情况下，所述相变材料层和所述导热材料层交替层叠设置。

10.根据权利要求8所述的相变存储器的制造方法，其特征在于，所述相变材料层的厚度大于所述导热材料层的厚度。

11.根据权利要求8所述的相变存储器的制造方法，其特征在于，所述相变材料层的层数大于所述导热材料层的层数。

12.根据权利要求8所述的相变存储器的制造方法，其特征在于，

所述导热材料层的厚度范围为1-5nm。

13.根据权利要求8所述的相变存储器的制造方法，其特征在于，

所述导热材料层的材料包括以下至少之一：金属氮化合物、钛钨合金。

14.根据权利要求8所述的相变存储器的制造方法，其特征在于，所述形成相变存储单元，包括：

在所述第一导电线上形成第一电极层；

在所述第一电极层上形成选通层，在所述选通层上形成第二电极层；

在所述第二电极层上形成所述相变存储层，在所述相变存储层上形成第三电极层。