[发明专利]具有气隙的半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一基板；

一第一导电线，设置于该基板上且具有二侧；

一第一突出部，该设置在该第一导电线的其中一侧；

一第二导电线，邻近该第一导电线设置且具有二侧；

一第二突出部，设置在该第二导电线的其中一侧，并面对该第一突出部；

一气隙，设置在该第一突出部与该第二突出部之间；

其中该第一突出部与该第二突出部之间的一距离，小于该第一导电线与该第二导电线之间的一距离。

2.如权利要求1所述的半导体元件，还包括：一覆盖层，设置在该第一突出部与该第二突出部上且密封该气隙。

3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第一突出部邻近该第一导电线的一端设置，且该第二突出部邻近该第二导电线的一端设置。

4.如权利要求2所述的半导体元件，还包括：一隔离层以及一第一衬垫层，其中该第一衬垫层设置在该第一突出部的其中一侧上、在该第二突出部的其中一侧上以及在该隔离层的一上表面上，其中该第一突出部的该侧以及该第二突出部的该侧相互面对设置。

5.如权利要求2所述的半导体元件，还包括：一隔离层以及多个第二衬垫层，其中该第一导电线与该第二导电线设置在该隔离层上，该多个第二衬垫层设置在该第一突出部的各侧边上、在该第二突出部的各侧边上以及在该隔离层的一上表面上。

6.如权利要求2所述的半导体元件，还包括：多个第三衬垫层，设置在该第一突出部的各侧边上以及在该第二突出部的各侧边上。

7.如权利要求4所述的半导体元件，还包括：一第四衬垫层，设置在该覆盖层下方及在该第一突出部与该第二突出部之间。

8.如权利要求3所述的半导体元件，还包括：一密封层，设置在该第一导电线的一端上与该第二导电线的一端上，其中该第一导电线、该第二导电线以及该密封层位于相同的一垂直位面。

9.如权利要求2所述的半导体元件，还包括：多个保护层，设置在该第一导电线与该覆盖层之间，以及在该第二导电线与该覆盖层之间。

10.如权利要求9所述的半导体元件，其中该多个保护层由下列材料所制：钽、氮化钽、氮碳化钨、钴-钨-磷化物合金、磷化钴合金、镍-钨-磷化物合金、镍硼合金、钴-钨-硼合金、镍-铼-磷化物合金、钴-铼-磷化物合金，或镍。

11.如权利要求1所述的半导体元件，其中该气隙是以平行于该第一导电线与该第二导电线的主轴而延伸。

12.如权利要求4所述的半导体元件，其中该第一衬垫层为多孔的。

13.如权利要求11所述的半导体元件，其中该第一衬垫层的一孔隙率介于大约45％到大约75％之间。

14.如权利要求1所述的半导体元件，还包括：多个阻障层，设置在该第一突出部的各侧边上以及在该第二突出部的各侧边上，其中该多个阻障层由下列材料所制：钛、氮化钛、氮化钛硅、钽、氮化钽，或氮化钽硅。

15.如权利要求14所述的半导体元件，其中该多个阻障层的一厚度介于大约到大约之间。