[发明专利]具有气隙的半导体元件

说明书

本公开的一实施例提供一种具有气隙的半导体元件，用以降低在多个导电特征之间的电容耦合。该半导体元件包括：一基板；一第一导电线，设置于该基板上且具有二侧；一第一突出部，该设置在该第一导电线的其中一侧；一第二导电线，邻近该第一导电线设置且具有二侧；一第二突出部，设置在该第二导电线的其中一侧，并面对该第一突出部；一气隙，设置在该第一突出部与该第二突出部之间；其中该第一突出部与该第二突出部之间的一距离，小于该第一导电线与该第二导电线之间的一距离。

技术领域

本公开主张2020年4月24日申请的美国正式申请案第16/857,931号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。

背景技术

半导体元件是使用在不同的电子应用，例如个人电脑、手机、数码相机，或其他电子设备。半导体元件的尺寸是逐渐地变小，以符合计算能力所逐渐增加的需求。然而，在尺寸变小的工艺期间，是增加不同的问题，且如此的问题在数量与复杂度上持续增加。因此，仍然持续着在达到改善品质、良率、效能与可靠度以及降低复杂度方面的挑战。

上文的“现有技术”说明仅是提供背景技术，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

发明内容

本公开的一实施例提供一种半导体元件，包括：一基板；一第一导电线，设置于该基板上且具有二侧；一第一突出部，该设置在该第一导电线的其中一侧；一第二导电线，邻近该第一导电线设置且具有二侧；一第二突出部，设置在该第二导电线的其中一侧，并面对该第一突出部；一气隙，设置在该第一突出部与该第二突出部之间；其中该第一突出部与该第二突出部之间的一距离，小于该第一导电线与该第二导电线之间的一距离。

在本公开的一些实施例中，该半导体元件还包括：一覆盖层，设置在该该第一突出部与该第二突出部上且密封该气隙。

在本公开的一些实施例中，该第一突出部邻近该第一导电线的一端设置，且该第二突出部邻近该第二导电线的一端设置。

在本公开的一些实施例中，该半导体元件还包括：一隔离层以及一第一衬垫层，其中该第一衬垫层设置在该第一突出部的其中一侧上、在该第二突出部的其中一侧上以及在该隔离层的一上表面上，其中该第一突出部的该侧以及该第二突出部的该侧相互面对设置。

在本公开的一些实施例中，该半导体元件还包括：一隔离层以及多个第二衬垫层，其中该第一导电线与该第二导电线设置在该隔离层上，该多个第二衬垫层设置在该第一突出部的各侧边上、在该第二突出部的各侧边上以及在该隔离层的一上表面上。

在本公开的一些实施例中，该半导体元件还包括：多个第三衬垫层，设置在该第一突出部的各侧边上以及在该第二突出部的各侧边上。

在本公开的一些实施例中，该半导体元件还包括：一第四衬垫层，设置在该覆盖层下方及在该第一突出部与该第二突出部之间。

在本公开的一些实施例中，该半导体元件还包括：一密封层，设置在该第一导电线的一端上与该第二导电线的一端上，其中该第一导电线、该第二导电线以及该密封层位于相同的一垂直位面。

在本公开的一些实施例中，该半导体元件还包括：多个保护层，设置在该第一导电线与该覆盖层之间，以及在该第二导电线与该覆盖层之间。

在本公开的一些实施例中，该多个保护层由下列材料所制：钽、氮化钽、氮碳化钨、钴-钨-磷化物合金、磷化钴合金、镍-钨-磷化物合金、镍硼合金、钴-钨-硼合金、镍-铼-磷化物合金、钴-铼-磷化物合金，或镍。

在本公开的一些实施例中，该气隙是以平行于该第一导电线与该第二导电线的主轴而延伸。

在本公开的一些实施例中，该第一衬垫层为多孔的。

在本公开的一些实施例中，该第一衬垫层的一孔隙率介于大约45％到大约75％之间。