[发明专利]光掩膜盒及其防尘方法

说明书

本揭露实施例涉及光掩膜盒及其防尘方法。提供一种光掩膜盒。所述光掩膜盒包含容器及安装到所述容器的流体调节模块。所述流体调节模块包含第一盖、第二盖及密封膜。所述第一盖及所述第二盖彼此连接。在所述第一盖与所述第二盖之间形成流动路径以允许流体行进通过所述流体调节模块。所述密封膜定位于所述第一盖与所述第二盖之间且经配置用于调节行进通过所述流动路径的所述流体的流动。

技术领域

本发明实施例涉及光掩膜盒及其防尘方法。

背景技术

归因于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的改进，半导体行业已经历快速增长。主要地，集成密度的此改进是来自缩小半导体过程节点(例如，将过程节点缩小到7nm节点)。当半导体装置按比例缩小时，使用新技术来代代维持电子组件的性能。

为制造极小构件，开发例如极紫外线(EUV)光刻、X射线光刻、离子束投影光刻及电子束投影光刻的光刻技术。光刻技术涉及在衬底上方形成光致抗蚀剂层，根据所要图案将光致抗蚀剂材料的部分暴露到光图案下，使光致抗蚀剂材料显影以移除光致抗蚀剂材料的部分以暴露下层材料的部分。另外，接着，可对衬底执行例如干蚀刻、湿蚀刻及类似物的适合蚀刻过程。因此，可移除经暴露下层材料以产生所要图案。

尽管已发展对光刻操作的方法的数种改进，但其并未在全部方面完全令人满意。因此，将期望提供改进光刻操作以便改进半导体晶片的产品良率的解决方案。

发明内容

根据本揭露的实施例，一种光掩膜盒包括：容器，其具有内部；及流体调节模块，其安装到所述容器，其中所述流体调节模块具有经配置用于允许流体行进通过所述流体调节模块的开口，且所述流体调节模块包括密封膜；其中当所述流体沿朝向所述容器的所述内部的方向进入所述流体调节模块时，所述密封膜覆盖所述开口以阻止所述流体进入所述容器的所述内部；其中当所述流体沿远离所述容器的所述内部的方向进入所述流体调节模块时，所述密封膜远离所述开口以允许从所述容器的所述内部排放所述流体。

根据本揭露的实施例，一种光掩膜盒包括：容器；及流体调节模块，其安装到所述容器且包括：第一盖及第二盖，其彼此连接，其中在所述第一盖与所述第二盖之间形成流动路径以允许流体行进通过所述流体调节模块；及密封膜，其定位于所述第一盖与所述第二盖之间且经配置用于调节行进通过所述流动路径的所述流体的流动。

根据本揭露的实施例，一种方法，其包括：从基座卸离光掩膜盒的上壳体；在所述上壳体从所述基座卸离时，使用处于密封状态的流体调节模块阻止入口气流进入所述上壳体与所述基座之间所述光掩膜盒的内部，其中在所述流体调节模块的所述密封状态中，使用密封膜覆盖所述流体调节模块的开口；将定位于所述基座上的光掩膜移除到过程工具；及使用所述光掩膜在所述过程工具中执行光刻操作。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下实施方式更好理解本揭露的实施例的方面。应注意，根据行业中的标准实践，各种结构不按比例绘制。事实上，为清晰论述，各种结构的尺寸可任意增加或减小。

图1是说明根据本揭露的一些实施例的半导体制造系统的示意图。

图2是根据本揭露的一些实施例的具有定位于其中的光掩膜的光掩膜盒的分解视图。

图3是根据本揭露的一些实施例的沿图2的线A-A取得的光掩膜盒的一部分的剖面图。

图4是根据本揭露的一些实施例的流体调节模块的分解视图。

图5是根据本揭露的一些实施例的光掩膜盒的一部分的剖面图。

图6是根据本揭露的一些实施例的流体调节模块的分解视图。

图7是说明根据本揭露的一或多个实施例的各种方面的用于执行光刻操作的方法的流程图。